EVM3GSX50B16是一款高性能的功率MOSFET驱动器芯片,主要应用于工业级和汽车级高电压、大电流开关场景。该器件具有快速开关特性,能够有效降低功耗并提升系统效率。其内部集成了一系列保护功能,包括过流保护、短路保护以及热关断等,确保在极端工作条件下的可靠性。
该芯片适用于多种应用场合,如电机驱动、DC-DC转换器、逆变器及LED驱动器等领域。通过优化栅极驱动信号,可以显著提高系统的动态响应速度。
型号:EVM3GSX50B16
封装:SOIC-8
输入电压范围:4.5V 至 20V
最大输出电流:5A
驱动延迟时间:10ns
上升时间:5ns
下降时间:5ns
静态电流:1mA
工作温度范围:-40°C 至 +125°C
隔离耐压:2500Vrms
EVM3GSX50B16具备以下主要特性:
1. 高速驱动能力,支持高达5A的峰值驱动电流,可快速切换外部功率MOSFET或IGBT。
2. 内置完善的保护机制,包括过温保护、欠压锁定(UVLO)和短路保护,提升了整体系统的安全性和可靠性。
3. 支持宽泛的工作电压范围,从4.5V到20V,适应多种供电环境。
4. 超低传播延迟和精确的匹配传输时间,减少了死区时间和交叉导通的风险。
5. 封装小巧且散热性能良好,适合空间受限的应用场景。
6. 提供增强型电磁兼容性(EMC),减少对周围电路的影响。
7. 符合RoHS标准,绿色环保设计。
EVM3GSX50B16广泛应用于以下几个领域:
1. 电动汽车和混合动力汽车中的电池管理系统(BMS)与电机控制器。
2. 工业自动化设备中的伺服驱动器和PLC电源模块。
3. 太阳能逆变器和不间断电源(UPS)中的功率转换电路。
4. LED照明驱动电路,用于高效调光控制。
5. 各类DC-DC转换器和AC-DC转换器中作为主控驱动芯片。
6. 家用电器中的压缩机启动和运行控制单元。
7. 通信基站中的射频功率放大器驱动部分。
EVM3GSX50B17
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