RM60SZ-6R是一款由ROHM(罗姆)半导体公司生产的齐纳二极管(Zener Diode),主要用于电压调节、电压参考以及电路保护等应用。该器件采用小型表面贴装封装(通常为SOD-123FL或类似小型化封装),适合高密度印刷电路板设计,广泛应用于便携式电子设备、电源管理模块、消费类电子产品及工业控制电路中。RM60SZ系列属于低功率齐纳二极管,具有稳定的击穿电压特性和良好的温度稳定性,能够在指定的反向击穿电压下提供精确的稳压功能。其中,“6R”表示其标称齐纳电压为6.0V(±5%容差),适用于需要稳定6V参考电压的场景。该器件在正向导通时表现类似于普通二极管,而在反向偏置达到击穿电压时进入齐纳效应区域,维持一个相对恒定的电压,从而实现稳压作用。RM60SZ-6R具备较低的动态阻抗和快速响应能力,能够有效抑制电压波动,提升系统可靠性。此外,该型号符合RoHS环保要求,并支持无铅焊接工艺,适应现代绿色电子制造标准。
类型:齐纳二极管
极性:单齐纳
齐纳电压(Vz):6.0V(@ Izt = 5mA)
容差:±5%
最大耗散功率(Ptot):200mW
最大齐纳电流(Iz max):50mA
测试电流(Izt):5mA
动态阻抗(Zzt):≤30Ω(@ Izt = 5mA)
漏电流(Ir):≤1μA(@ Vr = 4.5V)
工作结温范围(Tj):-55°C 至 +150°C
存储温度范围:-55°C 至 +150°C
封装形式:SOD-123FL
安装类型:表面贴装(SMD)
RM60SZ-6R齐纳二极管的核心特性在于其高精度的电压稳定性能与优异的温度稳定性。该器件在标称测试电流5mA下的齐纳电压为6.0V,容差控制在±5%以内,确保了在各种工作条件下输出电压的一致性,适用于对电压精度要求较高的模拟电路和参考电源设计。其动态阻抗低至30Ω,在负载变化或输入电压波动时能有效抑制输出电压的变动,提升了系统的稳压效果。同时,该器件具有较低的漏电流(在反向电压4.5V时不超过1μA),在未达到击穿电压前几乎不导通,减少了待机状态下的功耗,特别适合电池供电设备中的节能设计。
RM60SZ-6R采用SOD-123FL超小型表面贴装封装,尺寸紧凑(典型尺寸约为1.7mm x 1.3mm x 1.1mm),极大节省了PCB布局空间,适用于智能手机、平板电脑、可穿戴设备等对体积敏感的应用场景。该封装还具备良好的热传导性能,结合200mW的最大功耗能力,可在有限空间内实现可靠的热量管理。器件的工作结温范围宽达-55°C至+150°C,使其能够在极端环境温度下稳定运行,适用于工业自动化、汽车电子等严苛工作条件。
此外,RM60SZ-6R通过了AEC-Q101车规级可靠性认证,具备高可靠性和长期稳定性,适合用于车载电子系统中的电压钳位与保护电路。其制造过程符合无铅和RoHS环保规范,支持回流焊和波峰焊等多种SMT工艺,便于大规模自动化生产。整体而言,该器件在精度、稳定性、小型化和可靠性方面实现了良好平衡,是现代电子系统中理想的电压参考与稳压解决方案之一。
RM60SZ-6R齐纳二极管广泛应用于各类需要精确电压参考或过压保护的电子电路中。常见用途包括作为低压稳压源,在电源管理单元中为传感器、微控制器或ADC/DAC模块提供稳定的6V参考电压;也可用于信号调理电路中,实现电平钳位,防止因电压过高而损坏后级敏感元件。在电池供电设备如移动终端、物联网节点和便携式医疗仪器中,该器件可用于监测电池电压或构建简单的稳压电路,延长设备续航时间并提高能效。
在工业控制领域,RM60SZ-6R常被用作PLC模块、数据采集系统或通信接口(如RS-232、I2C总线)的静电放电(ESD)保护和瞬态电压抑制元件,有效吸收突发性电压尖峰,保障系统安全运行。在消费类电子产品中,如智能家电、音频设备和LED驱动电源,该齐纳二极管可用于反馈回路中的电压采样点,辅助实现闭环稳压控制。
此外,由于其具备车规级可靠性,RM60SZ-6R也适用于汽车电子应用,例如车载信息娱乐系统、车身控制模块、传感器供电电路等,用于电压箝位、噪声滤波和电源监控功能。在电路设计中,它还可与其他分立元件组合构成简单的稳压电源替代方案,降低系统成本。总体而言,该器件凭借其小型化、高稳定性和多环境适应能力,成为众多中低功率电子系统中不可或缺的基础元器件。
MMSZ5233B-TP\nBZT52C6V-7-F\nPZM6.0B,115\nSZMM3Z6V2T1G