时间：2025/6/17 7:02:45
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JSM75N75B 是一款 N 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于开关电源、电机驱动和负载切换等场景。其高电压耐受能力和低导通电阻使其成为功率管理应用的理想选择。
该器件采用先进的制造工艺，具备出色的热性能和电气性能，能够有效降低功耗并提升系统效率。
最大漏源电压：750V
最大连续漏电流：12A
最大栅源电压：±20V
典型导通电阻：0.6Ω
总功耗：240W
结温范围：-55℃ 至 150℃
JSM75N75B 具有以下显著特性：
1. 高耐压能力，适用于高压环境下的功率转换电路。
2. 极低的导通电阻，有助于减少传导损耗，提高整体效率。
3. 快速开关速度，适合高频工作场景。
4. 良好的热稳定性和可靠性，确保长时间运行。
5. 小封装设计，节省 PCB 空间，便于系统集成。
6. 符合 RoHS 标准，环保无铅材料。
该 MOSFET 可用于多种电力电子领域：
1. 开关模式电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器。
2. 电机驱动和控制电路。
3. 工业自动化设备中的负载切换。
4. 太阳能逆变器和其他可再生能源应用。
5. LED 驱动器和高效照明解决方案。
6. 电池管理系统 (BMS) 中的保护和充放电控制。
7. 各种需要高性能功率开关的应用场景。
IRFP460, STP75N75M5
