时间：2025/9/4 9:19:16
阅读：27
RM21TR-C(71) 是由 ROHM（罗姆）公司生产的一款 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于需要高效能功率转换的电路中，例如 DC-DC 转换器、电源管理模块以及负载开关等场景。该器件采用高密度沟槽式工艺制造，具备较低的导通电阻和良好的热稳定性，适用于高效率、小型化电源设备。
类型：N 沟道 MOSFET
最大漏极电流：20A
最大漏极-源极电压：30V
导通电阻(Rds(on))：35mΩ @ Vgs=10V
栅极阈值电压(Vgs(th))：1.0V ~ 2.5V
工作温度范围：-55°C ~ 150°C
封装形式：TO-252（DPAK）
RM21TR-C(71) 的核心优势在于其低导通电阻（Rds(on)）和高电流处理能力，使其在功率转换应用中具有较低的导通损耗，从而提高整体系统效率。
此外，该MOSFET采用了ROHM专有的沟槽式结构，优化了器件的导通特性和开关性能，降低了开关损耗。
其TO-252（DPAK）封装形式不仅提供了良好的散热性能，还支持表面贴装工艺，便于自动化生产和小型化设计。
该器件还具备良好的抗雪崩能力和较高的可靠性，适用于汽车电子、工业控制、消费类电源等对稳定性和耐久性要求较高的场合。
RM21TR-C(71) 在设计时充分考虑了EMI（电磁干扰）抑制和热管理，确保在高频率开关环境下依然保持稳定工作。
RM21TR-C(71) 常用于各类电源转换系统中，如同步整流DC-DC转换器、电池管理系统、负载开关、电机驱动电路、LED照明电源、工业自动化设备以及车载电子系统等。
由于其优异的导通性能和良好的热稳定性，特别适用于需要高效率和紧凑布局的电源模块设计。
在汽车电子领域，该MOSFET可用于车载充电器、DC-DC变换器、电动助力转向系统（EPS）以及其他车载电源管理系统。
在消费类电子产品中，常见于笔记本电脑、平板电脑、智能电视和家用电器的电源适配器中，用于实现高效率的能量转换。
同时，该器件也可用于太阳能逆变器、UPS（不间断电源）系统和服务器电源等工业应用中。
Si2302DS, AO3400, IRFZ44N, FDS6680
