类型：N 沟道 MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：42A
　　最大漏源电压（VDS）：650V
　　导通电阻（Rds(on)）：最大 0.15Ω（在 VGS=10V）
　　栅极电荷（Qg）：典型值 52nC
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：TO-220

LTL42NKSD 具备多项优异特性，使其在功率应用中表现出色。首先，其采用了 Super Junction 技术，显著降低了导通损耗，同时提升了器件的开关速度，从而提高整体效率。其次，该 MOSFET 的导通电阻（Rds(on)）较低，确保在高电流工作状态下仍能保持较小的功率损耗，降低系统发热。此外，该器件具备较高的耐压能力（650V），适用于多种高压电源系统。LTL42NKSD 还具有良好的热稳定性，能够在高温环境下稳定运行，提升了系统的可靠性和使用寿命。
　　在封装方面，LTL42NKSD 采用 TO-220 封装，具备良好的散热性能和机械强度，适合通孔安装（Through-Hole）方式，广泛用于电源适配器、服务器电源、电机控制、DC-DC 转换器以及太阳能逆变器等应用场景。该器件的驱动能力较强，适用于高频开关应用，同时具备较强的抗干扰能力和稳定性，降低了系统设计的复杂度。

LTL42NKSD 主要应用于各类功率电子系统中，包括开关电源（SMPS）、AC-DC 电源适配器、DC-DC 转换器、UPS（不间断电源）、电机驱动电路、LED 照明驱动以及工业自动化控制系统等。其高耐压、低导通电阻和优异的热管理能力，使其特别适合用于高效率和高功率密度的电源设计中。此外，在新能源领域，如太阳能逆变器和电动车充电系统中，LTL42NKSD 也常被用作关键的功率开关器件。

STP40NF60N, FQA40N60, FDPF40N60