时间：2025/9/6 16:27:08
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HM628128BLR8是一款由Hitachi（现为Renesas）制造的高速静态随机存取存储器（SRAM）芯片，容量为128K位（16K x 8）。这款芯片采用高性能CMOS技术制造，具有低功耗和高速访问时间的特点，适用于需要可靠存储和快速数据访问的工业和通信设备。该芯片采用55ns的访问时间，使其适用于需要高速操作的应用场景。
容量：128K位（16K x 8）
电源电压：5V
访问时间：55ns（最大）
工作温度范围：工业级（-40°C至+85°C）
封装类型：TSOP（Thin Small Outline Package）
封装引脚数：32引脚
数据宽度：8位
读写操作：异步SRAM
功耗：典型值为150mA（待机模式下低至10mA）
控制信号：/CE（片选），/OE（输出使能），/WE（写使能）
HM628128BLR8是一款高性能异步SRAM，具有55ns的快速访问时间，适用于需要快速数据存取的系统。该芯片采用CMOS工艺制造，具有低功耗的特点，即使在高速运行时也能保持较低的功耗。其32引脚TSOP封装设计使其适合高密度PCB布局，并支持表面贴装工艺，便于自动化生产。
此外，该芯片支持异步读写操作，控制信号包括片选（/CE）、输出使能（/OE）和写使能（/WE），提供灵活的接口控制方式。其工作温度范围为工业级（-40°C至+85°C），适用于工业控制、通信设备、嵌入式系统等对可靠性要求较高的应用场景。
在电源管理方面，HM628128BLR8在待机模式下电流消耗可降至最低10mA，有助于节能设计。同时，该芯片具备良好的抗干扰能力，确保在复杂电磁环境中数据的稳定性和完整性。
HM628128BLR8广泛应用于需要高速存储的嵌入式系统、工业控制器、通信模块、网络设备、测试仪器和数据采集系统。由于其高速访问时间和低功耗特性，特别适用于需要频繁读写操作的缓存存储或临时数据存储场景。
CY62148BLL-55PSC, IS62C25128AL-55NLI, IDT71V128SA70PFG, A621288A-55SI
