类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：20V
　　栅源电压（Vgs）：±12V
　　连续漏极电流（Id）：4.1A
　　导通电阻（Rds(on)）：32mΩ @ Vgs=4.5V
　　导通电阻（Rds(on)）：42mΩ @ Vgs=2.5V
　　功耗（Pd）：1.5W
　　工作温度范围：-55°C ~ 150°C
　　封装类型：SOP-8

RM15TRD-C(71) 的核心特性之一是其低导通电阻，这使得该MOSFET在导通状态下能够显著降低功率损耗，从而提高整体系统的效率。其Rds(on) 在Vgs=4.5V时仅为32mΩ，而在Vgs=2.5V时为42mΩ，支持在较低的栅极驱动电压下依然保持良好的性能。
　　此外，RM15TRD-C(71) 采用SOP-8封装，具备良好的热管理和空间利用率，适用于高密度PCB设计。该封装形式还支持表面贴装工艺（SMT），便于自动化生产。
　　该MOSFET具备较强的热稳定性和过载能力，可在较宽的工作温度范围内稳定运行（-55°C至+150°C），适合工业级和消费类应用。同时，其栅极驱动电压范围较宽，支持与多种控制电路兼容，如MCU、PWM控制器等。
　　在可靠性方面，RM15TRD-C(71) 设计有内置的静电放电（ESD）保护结构，可有效防止静电损坏，提高器件在复杂电磁环境下的稳定性。

RM15TRD-C(71) 主要应用于各类中小型功率电源系统中，例如便携式电子设备的电源管理电路、DC-DC转换器、负载开关、电池保护电路以及LED驱动器等。由于其低导通电阻和良好的热性能，该器件特别适合用于需要高效能和小型化设计的场合，如智能手机、平板电脑、穿戴设备、无线耳机等消费电子产品。
　　在工业应用中，RM15TRD-C(71) 可作为小型电机驱动、传感器供电控制、电源分配系统中的开关元件。其宽温度范围和较高的可靠性也使其适用于环境较为恶劣的工业现场控制设备。
　　此外，RM15TRD-C(71) 还广泛用于各种电源适配器、USB电源管理模块、无线充电系统等新兴应用领域，满足现代电子设备对高效、节能和小型化的需求。

Si2302DS, AO3400, FDN340P, TPC8104-H