类型：N 沟道 MOSFET
　　漏源电压（Vds）：100V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：100A（在 25°C 下）
　　功耗（Ptot）：134W
　　导通电阻（Rds(on)）：约 4.5mΩ（典型值，取决于 Vgs）
　　工作温度范围：-55°C 至 175°C
　　封装类型：PowerSO10

PMEG100V100ELPE 是一款高性能 N 沟道 MOSFET，具有出色的导通性能和热稳定性。其低导通电阻（Rds(on)）确保在高电流条件下仍能保持较低的功率损耗，从而提高系统的整体效率。该器件支持高达 100A 的连续漏极电流，在高功率应用中表现出色，例如直流-直流转换器、同步整流器和电机驱动器。
　　这款 MOSFET 采用先进的封装技术，具备良好的散热性能，能够有效降低工作温度，延长器件寿命。其 PowerSO10 封装形式不仅提供了优异的热管理和电气性能，还支持自动化装配，适合大规模生产和高可靠性应用。
　　此外，PMEG100V100ELPE 的栅极驱动电压范围较宽，通常可在 4.5V 至 20V 之间工作，这使得它能够兼容多种驱动电路设计，包括低压微控制器和专用驱动 IC。这种灵活性使其在各种应用场景中都能实现高效控制。
　　安全性方面，该器件具有过热保护和短路耐受能力，能够在极端条件下维持稳定运行。这使其特别适用于工业控制、汽车电子和可再生能源系统等对可靠性要求较高的领域。

PMEG100V100ELPE 主要应用于高功率和高效率的电子系统中。例如，在电源管理领域，它可用于构建高效的 DC-DC 转换器、负载开关和稳压器模块。在电机控制方面，该 MOSFET 可用于驱动直流电机、步进电机和无刷电机，提供稳定的电流控制和高效的能量转换。
　　此外，该器件也广泛应用于工业自动化设备、UPS（不间断电源）、电池管理系统（BMS）以及太阳能逆变器等新能源系统中。其优异的热性能和高电流能力使其成为高性能电源解决方案的理想选择。
　　由于其宽泛的工作电压范围和良好的栅极驱动兼容性，PMEG100V100ELPE 还可用于设计高性能的开关电源（SMPS）和同步整流电路，从而提升整体系统的能效和稳定性。

PMEG100V100EPE, PMEG100V100ELP, IRF1405, SiR100DP