时间：2025/9/29 17:51:28
阅读：26
RM100DZ-H是一款由罗姆（ROHM）半导体公司生产的P沟道功率MOSFET，广泛应用于电源管理、负载开关、DC-DC转换器以及电池供电设备中的开关控制电路。该器件采用先进的沟槽栅极工艺技术制造，具有低导通电阻（RDS(on)）、高效率和良好的热稳定性等优点，适合在高密度、低电压、低功耗的便携式电子产品中使用。RM100DZ-H的封装形式为小型表面贴装S-Mini（P通道）封装，尺寸紧凑，有助于节省PCB空间，同时具备良好的散热性能，适用于对空间要求严苛的应用场景。该MOSFET支持逻辑电平驱动，能够在较低的栅极驱动电压下实现完全导通，从而简化了与微控制器或数字逻辑电路的接口设计。此外，其内置的静电放电（ESD）保护功能增强了器件的可靠性，降低了在生产、组装和使用过程中因静电损伤而导致失效的风险。由于其优异的电气性能和封装优势，RM100DZ-H在消费电子、工业控制、通信设备和汽车电子等领域得到了广泛应用。
型号：RM100DZ-H
制造商：ROHM Semiconductor
晶体管类型：P沟道MOSFET
最大漏源电压（VDS）：-20V
最大栅源电压（VGS）：±12V
连续漏极电流（ID）：-5.1A（@ VGS = -4.5V）
脉冲漏极电流（IDM）：-14A
导通电阻（RDS(on)）：30mΩ（@ VGS = -4.5V）
导通电阻（RDS(on)）：37mΩ（@ VGS = -2.5V）
阈值电压（Vth）：-1.0V ~ -2.0V
输入电容（Ciss）：620pF（@ VDS = 10V）
反向恢复时间（trr）：未集成体二极管快速恢复特性
工作结温范围：-55°C 至 +150°C
存储温度范围：-55°C 至 +150°C
封装类型：S-Mini（双引脚表面贴装）
安装方式：表面贴装（SMT）
RM100DZ-H采用ROHM专有的P沟道沟槽栅极MOSFET技术，实现了极低的导通电阻，典型值在-4.5V栅极驱动下仅为30mΩ，这显著降低了导通状态下的功率损耗，提高了系统整体能效。该低RDS(on)特性使其非常适合用于电池供电设备中的负载开关或电源路径控制，例如智能手机、平板电脑、可穿戴设备和便携式医疗仪器，能够在大电流条件下保持较低的温升，延长电池续航时间并提升系统可靠性。器件支持逻辑电平驱动，在-2.5V的栅极电压下即可实现完全导通（RDS(on)为37mΩ），兼容3.3V或更低电压的控制信号，无需额外的电平转换电路，简化了系统设计并降低了成本。S-Mini封装不仅体积小巧（典型尺寸约为1.6mm x 1.6mm），还优化了内部引线和焊盘布局，提升了热传导效率，确保在高负载条件下仍能稳定工作。该封装符合RoHS环保标准，无铅且符合现代绿色电子制造要求。RM100DZ-H还具备出色的抗雪崩能力和高可靠性，经过严格的可靠性测试，包括高温栅极偏置（HTGB）、高温反向偏置（HTRB）和温度循环等，确保在恶劣环境下的长期稳定性。其内置的体二极管具有一定的反向恢复能力，虽不适用于高频整流，但在电源切换或反向电流保护场景中仍可提供基本功能。此外，器件具有较强的抗静电能力（HBM模型下可达±2000V），减少了在自动化贴片和人工操作过程中的静电损伤风险。总体而言，RM100DZ-H凭借其高性能、小尺寸和高可靠性，成为现代低电压、高效率电源管理系统中的理想选择。
RM100DZ-H主要用于需要高效、小型化P沟道MOSFET的电源管理应用。典型应用场景包括便携式电子设备中的电池电源开关，用于控制主电源与负载之间的连接，实现待机模式下的零功耗或低功耗运行。在DC-DC降压或升压转换器中，它可作为同步整流器或高端开关使用，尤其是在输入电压较低（如5V或3.3V系统）的情况下，其低导通电阻和逻辑电平驱动特性能够显著提升转换效率。该器件也常用于热插拔电路或电源多路复用器中，作为电源路径的通断控制元件，防止电流倒灌或实现冗余电源切换。在微控制器或FPGA的电源管理单元中，RM100DZ-H可用于各供电域的上电时序控制，确保系统按预定顺序启动。此外，它还可用于LED驱动电路中的开关控制，特别是在需要恒流调节或调光功能的场合。工业控制模块、传感器供电电路以及USB供电设备（如集线器、充电器）中也常见其身影，用于实现过流保护、软启动和电源隔离等功能。由于其良好的温度特性和稳定性，RM100DZ-H也可在汽车电子中的低功耗控制模块中使用，如车身控制、信息娱乐系统电源管理等。总之，凡是在低电压、小电流、高集成度环境下需要可靠开关功能的场合，RM100DZ-H均是一个优选方案。
DMG2305UX-7
SI2301ADS-T1-E3
FDS6679A
