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RLZTE-1130B 发布时间 时间:2025/12/25 12:10:55 查看 阅读:26

RLZTE-1130B是一款由Rohm Semiconductor生产的齐纳二极管(Zener Diode),属于RLZTE系列,采用小型表面贴装封装(SOD-123FL),适用于高密度印刷电路板设计。该器件主要用于电压参考、稳压以及过压保护等应用场景。RLZTE-1130B的标称齐纳电压为3.0V,允许一定的公差范围,能够在较小的工作电流下实现稳定的电压调节性能。由于其低功耗特性和快速响应能力,该器件广泛应用于便携式电子设备、电源管理模块、传感器接口电路以及信号电平转换等场合。RLZTE-1130B的设计符合AEC-Q101车规级可靠性标准,适合在汽车电子系统中使用,如车载信息娱乐系统、车身控制模块和电池管理系统等。此外,该器件具有良好的温度稳定性,能够在较宽的环境温度范围内保持一致的电气特性,确保系统运行的可靠性与安全性。

参数

型号:RLZTE-1130B
  制造商:Rohm Semiconductor
  器件类型:齐纳二极管
  封装类型:SOD-123FL
  标称齐纳电压:3.0V
  齐纳电压容差:±5%
  测试电流:5mA
  最大齐纳阻抗:50Ω
  额定功率:200mW
  工作温度范围:-55°C ~ +150°C
  存储温度范围:-55°C ~ +150°C
  反向漏电流:≤1μA @ 1V

特性

RLZTE-1130B具备优异的电压稳定性和低动态阻抗特性,在5mA的标准测试电流下能够提供精确且稳定的3.0V齐纳电压输出,确保在各种负载条件下维持可靠的电压基准。该器件的齐纳电压温度系数经过优化设计,有效减少了因环境温度变化引起的电压漂移,提升了系统在宽温条件下的工作稳定性。
  其采用的SOD-123FL封装具有极小的占板面积(约2.7mm x 1.6mm)和低热阻特性,便于在空间受限的应用中实现高密度布局,同时支持回流焊工艺,满足现代自动化生产的需求。该封装还提供了良好的散热性能,有助于在连续工作状态下将热量有效传导至PCB,避免局部过热导致性能下降或失效。
  RLZTE-1130B的制造过程遵循严格的品质控制标准,所有产品均通过100%的电气测试和老化筛选,确保批次一致性与长期可靠性。其符合AEC-Q101车规认证,表明其在高温反偏、温度循环、湿度敏感度等方面均达到汽车行业严苛的耐久性要求,可在恶劣环境下长时间稳定运行。此外,该器件无卤素(Halogen-Free)且符合RoHS环保指令,适用于对环境友好型材料有要求的工业与消费类电子产品。
  在瞬态响应方面,RLZTE-1130B表现出快速的击穿响应速度,能够在输入电压突变或负载波动时迅速进入稳压状态,防止下游电路受到电压冲击。这一特性使其不仅可用于静态电压参考,也可作为瞬态电压抑制元件,在低功率信号线上提供一定程度的ESD保护和浪涌抑制功能。

应用

RLZTE-1130B常用于需要精密电压参考的模拟和数字电路中,例如ADC/DAC的基准电压源、微控制器的复位电路以及传感器信号调理模块。在便携式设备如智能手机、可穿戴设备和物联网终端中,该器件因其小型化和低功耗优势被广泛用于电源轨监控和低电压检测电路。
  在汽车电子领域,RLZTE-1130B适用于各类ECU(电子控制单元)中的稳压与保护电路,包括发动机控制模块、车身网络节点和车载通信接口。其高可靠性与宽温度适应性使其能在发动机舱等高温环境中稳定工作。
  此外,该器件也常见于工业控制系统、医疗电子设备和消费类电源适配器中,用于构建简单的并联稳压器或作为电平钳位元件,保障敏感芯片免受电压异常影响。在多电源系统中,它还可用于不同电压域之间的电平转换缓冲,提升信号完整性。

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RLZTE-1130B参数

  • 标准包装2,500
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭单二极管/齐纳
  • 系列-
  • 电压 - 齐纳(标称)(Vz)28.4V
  • 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大)-
  • 电流 - 在 Vr 时反向漏电200nA @ 23V
  • 容差±3%
  • 功率 - 最大500mW
  • 阻抗(最大)(Zzt)55 欧姆
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳SOD-80C
  • 供应商设备封装LLDS
  • 包装带卷 (TR)
  • 工作温度-