RLZTE-113.0B 时间：2025/12/25 13:45:07 阅读：21

RLZTE-113.0B是一款由罗姆（ROHM）公司生产的表面贴装齐纳二极管，属于RLZTE系列。该系列二极管采用小型SOD-523（SC-79）封装，具有体积小、响应速度快和稳定性高等特点，广泛应用于便携式电子设备中的电压参考、电路保护和稳压功能。RLZTE-113.0B的标称齐纳电压为3.0V，在额定电流条件下可提供稳定的电压基准，适用于低电压电源管理场景。该器件设计用于在反向击穿区工作，利用其齐纳效应实现对电压的精确钳位和调节。由于其封装尺寸小巧，RLZTE-113.0B非常适合空间受限的应用，如智能手机、平板电脑、可穿戴设备和各类消费类电子产品。此外，该器件具有良好的温度稳定性和长期可靠性，能够在多种环境条件下保持性能一致。RLZTE-113.0B符合RoHS环保要求，并通过了无卤素认证，满足现代电子产品对环保和安全性的高标准。

参数

类型：齐纳二极管
　　封装：SOD-523 (SC-79)
　　标称齐纳电压：3.0V
　　齐纳电压容差：±5%
　　额定功率：200mW
　　最大齐纳阻抗（Zzt）：150Ω
　　测试电流（Iz）：5mA
　　最大反向漏电流（Ir）：1μA（在VR=1V时）
　　工作温度范围：-55℃ ~ +150℃
　　存储温度范围：-55℃ ~ +150℃
　　引脚数：2

特性

RLZTE-113.0B具备优异的电气特性和热稳定性，能够在宽温度范围内维持稳定的齐纳电压输出。其±5%的电压容差确保了在批量应用中的一致性与可靠性，适合用于需要精密电压参考的模拟和数字电路中。该器件在5mA的测试电流下表现出较低的动态阻抗，典型值约为150Ω，这有助于减少负载变化引起的输出电压波动，从而提高系统的稳压精度。SOD-523封装不仅节省PCB空间，还具备良好的散热性能，使得器件在持续工作状态下仍能保持较低温升。此外，该封装支持自动化贴片工艺，提升了生产效率并降低了制造成本。
　　该齐纳二极管具有出色的瞬态响应能力，能够快速抑制因电源突变或外部干扰引起的电压尖峰，起到有效的过压保护作用。其低反向漏电流特性（在1V反向电压下仅为1μA）保证了在待机或低功耗模式下的能量损耗最小化，特别适用于电池供电设备以延长续航时间。RLZTE-113.0B还具备较强的抗ESD能力，增强了系统在实际使用中的鲁棒性。由于采用无铅和无卤素材料制造，产品符合国际环保标准，适用于全球市场的电子产品的合规需求。整体而言，这款齐纳二极管以其高集成度、高可靠性和绿色环保特性，成为现代微型电子系统中不可或缺的基础元件之一。

应用

RLZTE-113.0B常用于便携式电子设备中的电压基准源，例如为ADC、DAC或传感器提供稳定的参考电压。它也广泛应用于低压逻辑电路的电平转换和箝位保护，防止信号线因过压而损坏。在电源管理系统中，该器件可用于监控供电电压并在异常情况下触发保护机制。此外，RLZTE-113.0B还可作为LED驱动电路中的稳压元件，确保发光强度的一致性。在通信模块、音频处理单元和微控制器外围电路中，该齐纳二极管可用于噪声抑制和信号整形。由于其小型化封装和高可靠性，该器件特别适合用于智能手机、智能手表、无线耳机、物联网终端等对空间和功耗敏感的产品中。工业控制、汽车电子中的非关键性辅助电路以及消费类家电的控制板也是其潜在应用领域。