时间:2025/11/8 0:09:15
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RLZ4.3B是一种硅表面贴装齐纳二极管,由ROHM Semiconductor生产。该器件设计用于提供稳定的参考电压,在广泛的电流和温度范围内表现出优异的电压稳定性。RLZ4.3B的标称齐纳电压为4.3V,属于低电压齐纳二极管类别,适用于需要精确电压箝位或基准电压源的应用场景。该器件采用小型SOD-123封装,具有紧凑的尺寸和良好的热性能,适合高密度PCB布局。由于其可靠的性能和小尺寸特性,RLZ4.3B广泛应用于便携式电子设备、电源管理电路、信号调理模块以及各种消费类电子产品中。作为一款通用型齐纳二极管,它在过压保护、电压检测和电平转换等电路中发挥着重要作用。
类型:齐纳二极管
标称齐纳电压:4.3V
齐纳电压容差:±5%
额定功率:200mW
最大齐纳阻抗(Zzt):35Ω @ Izt = 20mA
测试电流(Izt):20mA
工作结温范围:-55°C 至 +150°C
封装类型:SOD-123
极性:单齐纳二极管
峰值脉冲功率:500mW(8.3ms正弦波)
最大反向漏电流:1μA @ VR = 1V
RLZ4.3B具备出色的电压稳定性和温度特性,能够在宽温度范围和不同工作电流条件下维持精确的齐纳电压输出。其标称电压为4.3V,误差控制在±5%以内,确保了在精密电路中的可靠性。该器件在20mA的测试电流下具有不超过35Ω的动态阻抗,这表明其对负载变化的响应速度快,能有效抑制电压波动,适合作为电压参考源使用。此外,低动态阻抗也意味着在稳压过程中能量损耗较小,有助于提高系统整体效率。
RLZ4.3B采用SOD-123小型表面贴装封装,外形紧凑,占用PCB面积小,非常适合空间受限的应用环境,如智能手机、平板电脑和其他便携式设备。该封装还具备良好的散热性能,能够在200mW连续功耗和500mW瞬态脉冲功率下安全运行。器件的工作结温范围从-55°C到+150°C,使其可在恶劣环境温度下稳定工作,增强了系统的环境适应能力。
该齐纳二极管经过严格的可靠性测试,符合AEC-Q101汽车级标准(部分批次),可用于汽车电子系统中的辅助电源监控或传感器接口电路。同时,产品无铅且符合RoHS环保要求,支持现代绿色制造工艺。其低漏电流特性(在1V反向电压下典型值仅为0.1μA,最大1μA)确保在低功耗模式下不会产生显著静态损耗,有利于延长电池供电设备的续航时间。
RLZ4.3B还具有快速响应能力和较高的浪涌承受能力,能在瞬时过压事件中迅速导通并吸收多余能量,从而保护后续电路元件。这种特性使其不仅可用于稳压,还可作为简单的过压保护器件使用。综合来看,RLZ4.3B是一款性能均衡、应用灵活、成本效益高的齐纳二极管,适用于多种模拟和混合信号电路设计需求。
RLZ4.3B广泛应用于需要稳定参考电压或电压箝位功能的电子电路中。常见用途包括电源电压监测电路,其中该器件用作比较器的参考输入,以检测主电源是否处于正常工作范围。在低压直流电源系统中,如USB供电设备或电池管理系统,它可以作为过压保护元件,防止电压异常升高损坏敏感IC。此外,在模拟信号调理电路中,RLZ4.3B可用于限制输入信号幅度,避免ADC前端因过高信号电平而饱和或损坏。
在嵌入式系统和微控制器单元(MCU)外围电路中,该齐纳二极管常被用于复位电路或看门狗定时器的电压检测部分,确保系统在电源不稳定时能够可靠复位。它也可用于电平转换电路中,配合电阻实现不同逻辑电平之间的安全过渡,例如将5V信号安全地连接到3.3V输入引脚。在传感器接口设计中,RLZ4.3B可为传感器提供偏置电压或用于补偿温度漂移引起的电压波动。
由于其小型化封装和高可靠性,RLZ4.3B特别适合消费类电子产品,如智能手机、可穿戴设备、无线耳机和便携式医疗仪器。在工业控制领域,它可用于PLC模块、数据采集系统和通信接口的保护电路。此外,在汽车电子应用中,尽管不是所有型号都通过AEC-Q101认证,但符合标准的版本可用于车载信息娱乐系统、车身控制模块或电池电压检测单元。总之,RLZ4.3B凭借其稳定的电气性能和紧凑的物理尺寸,成为现代电子设计中不可或缺的基础元件之一。
MMSZ4.3B-7-F
PZM4.3B,115
BZT52C4.3B-GS08
SZLL43-04.3B
MMBZ4.3VALF