类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电流（Id）：3.1A
　　最大漏-源电压（Vds）：20V
　　最大栅-源电压（Vgs）：±12V
　　导通电阻（Rds(on)）：22mΩ @ Vgs = 4.5V
　　导通电阻（Rds(on)）：28mΩ @ Vgs = 2.5V
　　最大功耗（Pd）：200mW
　　工作温度范围：-55°C ~ 150°C
　　封装形式：SOT-723
　　引脚数：5
　　尺寸：1.9mm x 1.5mm x 0.6mm

RLST3Q122V MOSFET 采用了先进的沟槽结构和超小型 SOT-723 封装，具备出色的电气性能和热管理能力。其主要特性包括：
　　1. **低导通电阻**：在 4.5V 栅极电压下，Rds(on) 仅为 22mΩ，显著降低了导通状态下的功率损耗，提高了系统效率。
　　2. **小封装尺寸**：采用 SOT-723 封装，尺寸仅为 1.9mm x 1.5mm x 0.6mm，适用于空间受限的便携式设备和高密度 PCB 设计。
　　3. **高频开关性能**：由于其低栅极电荷（Qg）和低输出电容（Coss），该器件在高频开关应用中表现出色，适用于 DC-DC 转换器、同步整流等电路。
　　4. **宽工作温度范围**：支持 -55°C 至 150°C 的工作温度范围，适用于工业级和汽车电子应用。
　　5. **高可靠性**：采用 Rohm 独有的制造工艺和材料，确保了器件在严苛环境下的稳定性和长期可靠性。
　　6. **逻辑电平兼容**：可在 2.5V 至 4.5V 的栅极电压下工作，兼容多种逻辑电平控制电路，简化了驱动设计。

RLST3Q122V 主要适用于以下应用场景：
　　1. **电源管理**：如 DC-DC 升压/降压转换器、负载开关、LDO 稳压器等。
　　2. **电池供电设备**：包括智能手机、平板电脑、可穿戴设备、移动电源等低功耗电子产品。
　　3. **电机驱动**：用于微型电机、风扇、继电器等负载的控制。
　　4. **LED 照明**：作为恒流驱动或调光控制开关使用。
　　5. **汽车电子**：如车载充电器、ECU 电源管理、传感器供电控制等。
　　6. **工业控制**：用于 PLC、传感器、执行器等工业自动化设备中的开关控制。

RSL002N02CMX-7-F, NTR1P02XN, RSDT10MNM