时间：2025/9/14 12:33:53
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PMV160UPVL是一款由Nexperia（安世半导体）生产的P沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛用于低电压和中等功率应用中的开关控制。该器件采用先进的Trench工艺技术，以提供高效率和低导通电阻。PMV160UPVL适用于电池供电设备、电源管理、负载开关和DC-DC转换器等多种应用。该器件封装在无铅、符合RoHS标准的SOT223（塑料表面贴装封装）中，具有良好的热性能和机械稳定性。
类型：P沟道MOSFET
漏源电压（Vds）：-20V
栅源电压（Vgs）：±12V
连续漏极电流（Id）：-6A
导通电阻（Rds(on)）：35mΩ @ Vgs = -4.5V；50mΩ @ Vgs = -2.5V
功耗（Ptot）：1.4W
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
封装：SOT223
PMV160UPVL具备低导通电阻，使其在低电压开关应用中具有出色的效率表现。其Rds(on)值在Vgs为-4.5V时仅35mΩ，有助于降低导通损耗并提高系统效率。此外，该MOSFET具有较高的电流处理能力，连续漏极电流可达-6A，适用于需要较高负载能力的电源管理应用。器件采用Nexperia的高性能Trench工艺，提供良好的热稳定性，使其能够在较高的温度环境下可靠工作。
PMV160UPVL的SOT223封装设计提供了优异的散热性能，适合在空间受限的PCB布局中使用。该封装形式不仅节省空间，而且便于自动化装配和回流焊工艺。此外，该器件具有良好的抗静电能力（ESD保护），增强了在实际应用中的可靠性。
由于其低栅极电荷（Qg）特性，PMV160UPVL在高频开关应用中表现出色，能够减少开关损耗并提升整体系统性能。这使得它成为DC-DC转换器、同步整流器、负载开关以及电池管理系统中的理想选择。同时，该器件的-20V漏源电压额定值提供了足够的电压裕量，适用于多种低电压电源控制场景。
PMV160UPVL广泛应用于多种电子设备中，包括但不限于：
? 便携式电子设备（如智能手机、平板电脑和可穿戴设备）中的电源管理电路
? 电池供电系统中的负载开关控制
? DC-DC降压和升压转换器
? 同步整流器
? 电机驱动电路
? 电源管理系统中的低边或高边开关
? 服务器和电信设备中的电源管理模块
? 工业控制系统中的电源切换和保护电路
Si4435BDY-T1-GE3, FDS4410AS, IRML2803, BUK9615-60BY
