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RLSO8A062LC 发布时间 时间:2025/8/30 18:39:59 查看 阅读:9

RLSO8A062LC 是一款由 Rohm(罗姆)半导体公司推出的 N 沟道功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。这款晶体管专为高效率、高频率开关应用而设计,适用于电源管理、DC-DC 转换器、负载开关以及电机控制等多种电子系统。RLSO8A062LC 采用紧凑的 SOP(Small Outline Package)8 引脚封装,具备优良的热性能和电气性能,能够在较高频率下工作并减少开关损耗。

参数

类型:N 沟道 MOSFET
  漏源电压(Vds):60V
  连续漏极电流(Id):10A(在 Tc=25°C)
  导通电阻(Rds(on)):6.2mΩ(最大值,Vgs=10V)
  栅极阈值电压(Vgs(th)):1.8V ~ 3.5V
  工作温度范围:-55°C ~ 150°C
  封装类型:SOP-8
  功率耗散(Pd):40W

特性

RLSO8A062LC 采用先进的沟槽式 MOSFET 技术,提供极低的导通电阻(Rds(on)),从而显著降低导通损耗,提高系统效率。其 60V 的漏源电压额定值使其适用于中高压电源应用,如电池供电设备、电源适配器和工业控制系统。该器件支持高达 10A 的连续漏极电流,在适当的散热条件下可实现优异的功率处理能力。
  此外,RLSO8A062LC 具有良好的热稳定性和抗过热能力,能够在较高环境温度下稳定运行。其栅极驱动电压范围适中,支持与标准驱动电路的兼容性,从而简化了设计并降低了外围元件的成本。SOP-8 封装形式在保持高性能的同时,提供了节省空间的解决方案,非常适合对尺寸和重量有严格要求的便携式电子产品。
  该 MOSFET 还具备较低的输入电容和输出电容,有助于减少开关过程中的能量损耗,提高整体系统效率。其快速开关特性也使其适用于高频 DC-DC 转换器和同步整流电路。

应用

RLSO8A062LC 主要应用于需要高效功率管理的电子设备中,包括但不限于:开关电源(SMPS)、DC-DC 转换器、负载开关、电机驱动器、LED 照明驱动器、电池管理系统(BMS)、工业自动化控制系统以及便携式电子设备中的电源模块。其低导通电阻和高电流能力使其在要求高效率、高可靠性的应用中表现出色。

替代型号

SiSSA10N60C3, FDS6680, IRF7413, AO4406A

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