类型：N 沟道 MOSFET
　　漏源电压（Vds）：60V
　　连续漏极电流（Id）：10A（在 Tc=25°C）
　　导通电阻（Rds(on)）：6.2mΩ（最大值，Vgs=10V）
　　栅极阈值电压（Vgs(th)）：1.8V ~ 3.5V
　　工作温度范围：-55°C ~ 150°C
　　封装类型：SOP-8
　　功率耗散（Pd）：40W

RLSO8A062LC 采用先进的沟槽式 MOSFET 技术，提供极低的导通电阻（Rds(on)），从而显著降低导通损耗，提高系统效率。其 60V 的漏源电压额定值使其适用于中高压电源应用，如电池供电设备、电源适配器和工业控制系统。该器件支持高达 10A 的连续漏极电流，在适当的散热条件下可实现优异的功率处理能力。
　　此外，RLSO8A062LC 具有良好的热稳定性和抗过热能力，能够在较高环境温度下稳定运行。其栅极驱动电压范围适中，支持与标准驱动电路的兼容性，从而简化了设计并降低了外围元件的成本。SOP-8 封装形式在保持高性能的同时，提供了节省空间的解决方案，非常适合对尺寸和重量有严格要求的便携式电子产品。
　　该 MOSFET 还具备较低的输入电容和输出电容，有助于减少开关过程中的能量损耗，提高整体系统效率。其快速开关特性也使其适用于高频 DC-DC 转换器和同步整流电路。

RLSO8A062LC 主要应用于需要高效功率管理的电子设备中，包括但不限于：开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器、负载开关、电机驱动器、LED 照明驱动器、电池管理系统（BMS）、工业自动化控制系统以及便携式电子设备中的电源模块。其低导通电阻和高电流能力使其在要求高效率、高可靠性的应用中表现出色。

SiSSA10N60C3, FDS6680, IRF7413, AO4406A