时间：2025/12/28 20:05:34
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RLSD92Q121V 是一款由 Rohm（罗姆）公司生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件专为高效率功率转换应用设计，具有低导通电阻、高开关速度和高可靠性等特点。RLSD92Q121V 采用 TSON 封装形式，适合用于汽车电子、工业控制、电源管理和 DC-DC 转换器等应用领域。该 MOSFET 具备良好的热稳定性和过载保护能力，适用于高要求的电源系统设计。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（Vds）：100V
栅源电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）：60A
导通电阻（Rds(on)）：最大 1.8mΩ @ Vgs=10V
工作温度范围：-55°C ~ 150°C
封装类型：TSON
功率耗散（Pd）：120W
RLSD92Q121V 功率 MOSFET 的最大亮点是其极低的导通电阻，最大仅为 1.8mΩ，在高电流工作条件下可显著降低导通损耗，提高系统效率。该器件的漏源电压额定值为 100V，栅源电压范围为 ±20V，具备较强的电压耐受能力和抗干扰能力。最大连续漏极电流为 60A，适用于高功率密度设计。该 MOSFET 支持高速开关操作，适用于高频电源转换系统，如 DC-DC 转换器和同步整流器。
此外，RLSD92Q121V 采用 TSON 封装，具有良好的散热性能，能够在高温环境下稳定运行。其工作温度范围为 -55°C 至 150°C，适合在严苛的工业和汽车应用中使用。器件还具备良好的抗雪崩能力和过载保护性能，提升了系统的可靠性与安全性。TSON 封装体积小，便于在紧凑型 PCB 设计中布局，适合对空间要求较高的应用场合。
RLSD92Q121V 主要应用于高功率 DC-DC 转换器、同步整流器、电机驱动电路、电源管理系统、工业自动化设备以及汽车电子系统中。其高电流承载能力和低导通电阻使其成为高效能电源设计的理想选择。
SiSS128LNT,TNTC92D1001,TNTH92D1001
