类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电流：120A
　　最大漏极-源极电压：30V
　　导通电阻（Rds(on)）：3.1mΩ @ Vgs=10V
　　栅极阈值电压：1V ~ 2.5V
　　最大功率耗散：130W
　　工作温度范围：-55°C ~ 150°C
　　封装类型：LFPAK/PowerFLAT

RLSD92Q031CB 具备多项高性能特性。其低导通电阻（Rds(on)）可显著降低导通损耗，提高能效，使其适用于高电流应用。此外，该MOSFET具有优异的热稳定性，能够在高温环境下稳定运行，确保系统的可靠性。
　　该器件采用了先进的沟槽式结构，提高了单位面积内的电流密度，从而在小尺寸封装中实现更高的性能。同时，RLSD92Q031CB 的快速开关能力减少了开关损耗，提高了整体系统效率，适用于高频开关电源和DC-DC转换器等应用。
　　RLSD92Q031CB 采用无铅封装，符合RoHS环保标准，适用于现代电子设备的绿色制造要求。其表面贴装封装形式便于自动化生产，降低了制造成本并提升了生产效率。

RLSD92Q031CB 主要应用于高功率密度电源系统，如DC-DC转换器、同步整流器、负载开关、电池管理系统、电动工具、工业自动化设备、汽车电子系统（如车载充电器和DC-DC变换器）以及服务器电源等。
　　在DC-DC转换器中，RLSD92Q031CB 的低导通电阻和快速开关特性有助于提升转换效率，减少发热，从而延长设备的使用寿命。在电池管理系统中，该MOSFET可作为高侧或低侧开关，实现对电池充放电过程的精确控制。
　　由于其高可靠性和优异的热性能，RLSD92Q031CB 也广泛用于电动汽车和新能源系统中的功率管理模块，确保系统在高负载条件下的稳定运行。

RSD92N031CJ, SiR344DP-T1-GE