型号：2SK3261
　　类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：600 V
　　最大漏极电流（Id）：1.5 A
　　导通电阻（Rds(on)）：典型值 7.0 Ω（在Vgs=10V时）
　　栅极阈值电压（Vgs(th)）：2.0 ~ 4.0 V
　　最大功耗（Pd）：50 W
　　工作结温范围（Tj）：-55°C 至 +150°C
　　输入电容（Ciss）：约 35 pF
　　输出电容（Coss）：约 10 pF
　　反向传输电容（Crss）：约 1.5 pF
　　栅极电荷（Qg）：典型值 15 nC
　　封装形式：SOP Advance 或类似功率增强型表面贴装封装

2SK3261具备多项关键特性，使其成为高性能开关电源应用中的理想选择。首先，其高达600V的漏源击穿电压使其能够安全地应用于高压环境中，例如离线式AC-DC电源适配器或LED驱动电源中，确保在瞬态过压情况下仍能保持稳定运行。其次，该器件具有较低的导通电阻Rds(on)，典型值仅为7Ω（在Vgs=10V条件下），这显著降低了导通状态下的功率损耗，提高了系统的整体能效。这对于追求绿色能源标准的产品尤为重要。
　　另一个重要特性是其优秀的开关性能。2SK3261拥有较小的输入、输出及反向传输电容，这意味着它可以在高频下快速开启与关断，从而减少开关过程中的能量损耗。同时，较低的栅极电荷（Qg）也意味着驱动电路所需的驱动功率更少，简化了栅极驱动设计，并提升了整个电源系统的动态响应能力。此外，该MOSFET采用了优化的沟道结构设计，有效抑制了米勒效应，减少了因寄生电容引起的误触发风险，增强了电路工作的可靠性。
　　热管理方面，2SK3261采用适合表面贴装的增强型封装，具有较低的热阻（Rth(j-c)），可有效将芯片产生的热量传导至PCB，便于通过大面积铜箔散热。这种设计不仅提升了功率处理能力，还增强了长期运行的稳定性。器件的工作结温范围宽达-55°C至+150°C，适应严苛的工业环境条件。此外，2SK3261内置了体二极管，可在感性负载切换时提供续流路径，避免电压尖峰损坏其他元件。
　　值得一提的是，该器件符合RoHS环保标准，支持无铅焊接工艺，适用于现代自动化生产线。综合来看，2SK3261凭借其高压耐受能力、低导通损耗、优良的开关特性和可靠的封装设计，成为众多中小功率电源系统中的优选器件。

2SK3261主要应用于各类中低电流、高电压的开关电源系统中，尤其适合需要高效能转换的小型化电源设计。其典型应用场景包括但不限于：离线式反激变换器（Flyback Converter），用于手机充电器、笔记本电脑适配器、智能家居设备电源模块等消费类电子产品中，作为主开关管实现交流到直流的高效转换。在这些应用中，2SK3261的高耐压能力和低导通电阻有助于提升转换效率并降低温升。
　　此外，该器件也广泛用于DC-DC升压或降压转换器中，特别是在电池供电设备或太阳能电源系统中作为功率开关使用。其快速开关特性使其能够在高频下稳定工作，从而减小磁性元件体积，实现更高功率密度的设计。在LED照明驱动电源中，2SK3261可用于恒流控制拓扑结构，为大功率LED灯提供稳定且高效的供电方案。
　　工业控制领域也是其重要应用方向之一，例如PLC模块、传感器电源、小型继电器驱动电路等场合，利用其高可靠性与宽温度工作范围保证系统长期稳定运行。同时，在电机驱动应用中，尤其是微型直流电机或步进电机的H桥驱动电路中，2SK3261可作为低端或高端开关使用，提供精确的开关控制。
　　由于其表面贴装封装形式，2SK3261特别适合自动化贴片生产流程，适用于大批量电子产品制造。此外，它还可用于逆变器、UPS不间断电源、智能电表等对安全性与效率有较高要求的设备中。总之，凡是需要在有限空间内实现高压、低损耗功率开关功能的场合，2SK3261都是一个极具竞争力的选择。

2SK3262
　　2SK3569
　　K2832
　　2SK2973