类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：80V
　　漏极电流（Id）@25℃：5A
　　导通电阻（Rds(on)）@Vgs=10V：最大55mΩ
　　栅极电荷（Qg）：13nC（典型值）
　　输入电容（Ciss）：520pF（典型值）
　　工作温度范围：-55℃~150℃
　　封装形式：TSOP（表面贴装）

RLP5N08LE MOSFET具有多项优异特性，适用于高性能电源系统设计。
　　首先，该器件的低导通电阻（Rds(on)）可显著降低导通损耗，提高整体效率。在Vgs=10V时，Rds(on)最大仅为55mΩ，这使其在高电流条件下仍能保持较低的功率损耗。
　　其次，RLP5N08LE具备较高的电压耐受能力，漏源电压额定值为80V，适合中高压电源转换应用。此外，其栅极电荷（Qg）仅为13nC，有助于降低开关损耗，提高开关频率下的效率表现。
　　该MOSFET采用TSOP封装，具有良好的热管理性能和较小的PCB占用空间，非常适合高密度电源设计。其输入电容（Ciss）为520pF，有助于减少高频噪声的干扰。
　　RLP5N08LE的工作温度范围为-55℃至+150℃，展现出良好的环境适应性与稳定性，适用于工业级和汽车级应用场合。
　　总体而言，RLP5N08LE是一款性能稳定、效率高的功率MOSFET，广泛适用于各类电源管理系统。

RLP5N08LE 主要应用于以下领域：
　　? DC-DC转换器：用于提高转换效率和减小电路体积，适用于笔记本电脑、服务器和通信设备的电源系统。
　　? 电池管理系统：在电池充放电控制电路中作为高效率开关元件，用于电动工具、无人机和便携式设备。
　　? 负载开关：用于控制电源的通断，适用于智能电源管理模块和负载分配系统。
　　? 电机驱动电路：适用于小型电机控制，如机器人、自动化设备和智能家居产品。
　　? 汽车电子系统：包括车载充电器、LED照明驱动、车载信息娱乐系统等需要高可靠性和高效率的场景。
　　? 工业控制系统：如PLC、传感器模块和工业计算机的电源管理。

Si2302DS, FDN340P, AO3400, BSS138