RLP1N08LE 时间：2025/6/11 9:47:31 阅读：26

RLP1N08LE 是一款 N 沣道通态场效应晶体管（MOSFET），属于功率半导体器件。该型号采用先进的制造工艺，具有低导通电阻和快速开关特性，适用于多种电源管理和电力电子应用。RLP1N08LE 的设计旨在优化效率和性能，同时提供高可靠性和稳定性。
　　这款 MOSFET 通常用于消费电子、工业设备以及通信领域，能够满足高效能开关和负载驱动的需求。

参数

最大漏源电压（Vds）：80V
　　最大栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：47A
　　导通电阻（Rds(on)）：1.3mΩ
　　总功耗（Ptot）：15W
　　结温范围（Tj）：-55℃ 至 +175℃
　　封装形式：TO-247

特性

RLP1N08LE 具有以下显著特性：
　　1. 极低的导通电阻（Rds(on)），可降低导通损耗并提高系统效率。
　　2. 快速开关能力，适合高频应用。
　　3. 高雪崩能量能力，增强了器件在异常条件下的耐用性。
　　4. 良好的热性能，确保在高功率应用中保持稳定运行。
　　5. 符合 RoHS 标准，环保且支持无铅焊接工艺。
　　6. 结温范围宽广，适应各种极端环境条件。
　　7. 高可靠性设计，延长使用寿命。

应用

RLP1N08LE 广泛应用于以下领域：
　　1. 开关电源（SMPS）中的主开关或同步整流元件。
　　2. 电动机驱动和控制电路中的功率级组件。
　　3. 工业逆变器和变频器的核心功率转换模块。
　　4. 太阳能逆变器中的 DC-DC 和 DC-AC 转换部分。
　　5. 电池管理系统（BMS）中的保护和切换功能。
　　6. 各类负载开关和功率分配网络中的关键器件。