型号：RL5E869
　　制造商：Renesas Electronics
　　晶体管类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：30 V
　　最大连续漏极电流（ID）：18 A（在TC=25°C时）
　　最大脉冲漏极电流（IDM）：72 A
　　最大栅源电压（VGS）：±20 V
　　导通电阻 RDS(on) max @ VGS = 10 V：4.2 mΩ
　　导通电阻 RDS(on) max @ VGS = 4.5 V：5.7 mΩ
　　阈值电压（Vth）：典型值 1.4 V，范围 1.0 ~ 2.0 V
　　输入电容（Ciss）：典型值 2200 pF
　　输出电容（Coss）：典型值 720 pF
　　反向恢复时间（trr）：典型值 18 ns
　　栅极电荷（Qg）：典型值 38 nC @ VGS = 10 V
　　功率耗散（PD）：48 W（TC=25°C）
　　工作结温范围（Tj）：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：WPAK（表面贴装）

RL5E869 N沟道MOSFET采用了瑞萨先进的沟槽栅极技术，实现了极低的导通电阻与优异的开关性能之间的平衡。其在VGS = 10 V时RDS(on)仅为4.2 mΩ，在同类30V器件中处于领先水平，显著降低了传导损耗，尤其适合大电流应用场合。该器件在低栅极电压下仍具备良好导通能力，在VGS = 4.5 V时RDS(on)仅为5.7 mΩ，支持宽范围的逻辑电平驱动，兼容3.3V或5V微控制器直接控制，无需额外电平转换电路。
　　该MOSFET具有出色的开关特性，输入电容和栅极电荷较低，Qg典型值为38 nC，使得在高频开关应用（如同步降压转换器）中能够减少驱动损耗，提升系统效率。同时，其反向恢复时间短（trr ≈ 18 ns），体二极管性能优良，可有效抑制开关过程中的电压尖峰，降低电磁干扰（EMI），提高系统稳定性。
　　RL5E869采用WPAK超小型封装，不仅体积紧凑，有利于高密度PCB布局，还通过优化引线设计和封装材料提升了散热效率，确保在高负载条件下仍能维持较低的工作温度。该器件符合RoHS环保标准，并具备高可靠性，经过严格的高温反向偏压（HTRB）、高温栅极偏压（HTGB）和功率循环测试，适用于工业级和汽车级应用场景。
　　此外，RL5E869具备较强的抗雪崩能力和静电放电（ESD）保护性能，能够在电源启停、负载突变或短路等异常工况下保持稳定运行，延长系统寿命。其宽泛的工作结温范围（-55°C至+150°C）使其可在恶劣环境温度下正常工作，适用于户外设备、车载电子和工业自动化系统。

RL5E869广泛应用于各类高效电源系统中，尤其适合需要高电流、低损耗和小尺寸的场合。常见应用包括同步整流型DC-DC降压转换器，作为主开关或同步整流开关使用，因其低RDS(on)和快速开关特性，可显著提升转换效率，减少发热。在便携式电子产品如笔记本电脑、平板电脑和移动电源中，RL5E869用于电池管理系统（BMS）中的充放电控制开关，实现高效的能量传输与安全保护。
　　在电机驱动电路中，该器件可用于H桥或半桥拓扑结构中的功率开关，驱动直流电机或步进电机，得益于其高电流承载能力和快速响应，能够实现精确的转速与方向控制。此外，在热插拔控制器、负载开关和电源分配单元中，RL5E869可作为主控开关，提供软启动、过流保护和浪涌电流抑制功能。
　　在通信基础设施设备如基站电源、光模块供电单元中，RL5E869用于POL（Point-of-Load）电源设计，满足高频、高效率的供电需求。同时，该器件也适用于工业PLC、传感器供电模块、LED驱动电源等对可靠性要求较高的场合。由于其良好的热性能和电气特性，RL5E869还可用于汽车电子系统中的辅助电源模块，如车身控制模块、车载信息娱乐系统电源管理等，符合AEC-Q101可靠性标准的应用潜力使其成为车规级设计的优选器件之一。

RJK03B9DP
　　SiSS108DN-T1-GE3
　　AOZ5238EQI