RK7002KLT1是一款由Rohm Semiconductor生产的N沟道功率MOSFET。这款晶体管设计用于需要高效能和高可靠性的电源管理系统,适用于多种电子设备,如电源供应器、马达控制器、DC-DC转换器以及负载开关应用。RK7002KLT1封装为SOT-223,适合表面贴装,具有良好的热管理和电气性能。
类型:N沟道MOSFET
漏源电压(Vds):20V
栅源电压(Vgs):±12V
漏极电流(Id):100mA(最大值)
功耗(Pd):200mW
工作温度范围:-55°C至150°C
存储温度范围:-55°C至150°C
封装类型:SOT-223
RK7002KLT1具有低导通电阻(Rds(on))的特性,这使得在导通状态下能够实现较小的功率损耗,提高系统效率。该器件的栅极驱动电压较低,能够与常见的逻辑电平兼容,简化了驱动电路的设计。此外,SOT-223封装形式提供了较好的热性能,有助于热量的快速散发,从而确保在高负载条件下的稳定运行。RK7002KLT1的快速开关特性也有助于减少开关损耗,提高整体性能。
Rohm的RK7002KLT1还具有高可靠性和耐用性,能够在恶劣的环境条件下运行。其内部结构设计优化了电场分布,提高了器件的耐压能力,减少了击穿的风险。同时,该器件的短路保护能力也使其在异常工作条件下能够保持稳定,延长了使用寿命。
RK7002KLT1广泛应用于各种电源管理领域,包括但不限于小型电源供应器、LED驱动器、电池充电器以及各种低功率DC-DC转换器。由于其良好的热管理和电气性能,它也常用于需要高效能和高可靠性的便携式电子产品中,如智能手机、平板电脑和可穿戴设备。此外,RK7002KLT1还适用于电机控制和负载开关应用,能够提供稳定的电流控制和高效的能量转换。
2N7002K, BSS138