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IXBX75N170A 发布时间 时间:2025/8/6 8:02:58 查看 阅读:33

IXBX75N170A是一款由IXYS公司制造的高电压、高电流双极型晶体管(BJT),专为高功率应用而设计。这款晶体管具有较高的电流承载能力和优良的热稳定性,适用于需要高电压和大电流操作的场合。其主要设计目标是提供高可靠性和长寿命,适合在工业、电力电子和电机控制领域中使用。

参数

晶体管类型:NPN
  最大集电极-发射极电压(VCEO):1700V
  最大集电极电流(IC):75A
  最大耗散功率(PD):300W
  增益(hFE):20-80(在IC=35A时)
  工作温度范围:-55°C至+150°C
  封装类型:TO-264

特性

IXBX75N170A的主要特性包括其高电压和高电流能力,使其适用于高功率应用。该晶体管具有良好的热稳定性和高可靠性,能够在极端温度条件下运行。其高增益特性使得在较低的基极电流下也能实现较大的集电极电流,提高了效率。此外,该器件的封装设计有助于散热,延长使用寿命。
  这款晶体管的另一个显著特点是其高抗浪涌能力,能够在短时间内承受超过额定值的电流而不损坏。这对于需要应对突发负载变化的应用非常重要。此外,IXBX75N170A还具有较低的饱和压降,减少了功率损耗,提高了系统的整体效率。最后,该器件的设计考虑了易于安装和使用,适用于各种高功率电子设备。

应用

IXBX75N170A广泛应用于高功率电子设备中,如工业电机控制、电力电子变换器、不间断电源(UPS)、电焊机和感应加热系统。其高电压和大电流能力使其非常适合用于需要高功率输出的场合,如电动车辆的电力系统和太阳能逆变器。此外,它还可以用于高功率音频放大器和测试设备中,提供稳定可靠的性能。

替代型号

IXBX75N170AV1, IXBX75N170AV1PBF

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IXBX75N170A参数

  • 标准包装30
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭IGBT - 单路
  • 系列BIMOSFET™
  • IGBT 类型-
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)1700V
  • Vge, Ic时的最大Vce(开)6V @ 15V,42A
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)110A
  • 功率 - 最大1040W
  • 输入类型标准型
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-247-3
  • 供应商设备封装PLUS247?-3
  • 包装管件