时间：2025/8/6 17:33:56
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RJHSE538X是一款由Renesas Electronics公司生产的N沟道功率MOSFET。该器件专为高效率功率转换应用设计，具有低导通电阻、高开关速度和优良的热稳定性。该MOSFET采用先进的沟槽技术，优化了导通损耗和开关损耗的平衡，适用于电源管理、DC-DC转换器、电机控制和负载开关等多种高要求的工业和消费类应用。
类型：N沟道
漏源电压（Vds）：30V
栅源电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）：100A（Tc=25℃）
功耗（Pd）：134W
工作温度范围：-55°C至150°C
封装类型：PowerPAK SO-8双散热焊盘
导通电阻（Rds(on)）：最大值5.3mΩ @ Vgs=10V
栅极电荷（Qg）：30nC（典型值）
输入电容（Ciss）：1600pF（典型值）
RJHSE538X具备多项优异性能，首先是其低导通电阻，使其在高电流条件下能够保持较低的功率损耗，提高整体系统效率。其次，该MOSFET采用先进的沟槽结构技术，优化了电场分布，从而增强了器件的可靠性和耐用性。此外，其高栅极电荷特性支持高速开关操作，有助于减少开关损耗，适用于高频开关电源设计。
该器件的封装形式为PowerPAK SO-8双散热焊盘，具有良好的散热性能，确保在高功率密度设计中仍能维持稳定的温度表现。其栅极驱动电压范围较宽，允许使用标准的10V或12V驱动电压，兼容多种控制电路。
RJHSE538X还具备较强的抗雪崩能力，可在异常工作条件下提供更高的安全裕量。此外，该MOSFET的封装材料符合RoHS环保标准，适用于无铅生产工艺。
RJHSE538X广泛应用于各类高功率密度和高效率要求的电子系统中。典型应用包括同步整流DC-DC降压/升压转换器、服务器和通信设备的电源模块、电池管理系统、电机驱动电路以及负载开关控制。此外，该MOSFET也可用于工业自动化设备、电动汽车充电系统以及高功率LED驱动电源等场景。
SiZ120DT, BSC090N15NS5, FDS6680, NVTFS5C471NL, AO4406
