类型：P沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：-60V
　　连续漏极电流（ID）：-4.4A（@25°C）
　　导通电阻（RDS(on)）：最大34mΩ（@VGS=-10V）
　　栅极电压（VGS）：-20V至+20V
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　封装类型：DFN10
　　功耗（PD）：2.5W
　　漏极电容（Ciss）：约1100pF
　　开启延迟时间（td(on)）：约18ns

RJH65T04BDPM-A0 具备多项优异特性，适合用于高性能电源管理电路。其低导通电阻（RDS(on)）有助于减少导通损耗，提高电源转换效率。该MOSFET的DFN封装不仅体积小，还具有良好的散热性能，使得器件在高电流条件下依然能保持较低的工作温度。此外，该MOSFET具备较高的耐压能力（-60V），可在中高压电源应用中稳定工作。
　　RJH65T04BDPM-A0的栅极驱动电压范围较宽（-20V至+20V），允许使用标准的MOSFET驱动器进行控制，提高了设计的灵活性。其漏极电容（Ciss）较低，有助于减少开关过程中的损耗，提高系统的动态响应速度。该器件还具备较强的过载和短路承受能力，提高了整体系统的可靠性。
　　在热性能方面，RJH65T04BDPM-A0的封装设计优化了热阻，使得器件在高功率工作条件下能够有效散热，延长使用寿命。此外，该MOSFET的制造工艺符合RoHS环保标准，适用于各类环保电子设备的设计。

RJH65T04BDPM-A0 主要应用于需要高效电源管理的场合，例如DC-DC转换器、同步整流器、负载开关、电池管理系统、电机控制电路以及工业自动化设备。由于其低导通电阻和优异的热性能，该MOSFET特别适合用于需要高效率和高可靠性的电源系统。此外，RJH65T04BDPM-A0还可用于消费类电子产品、通信设备、汽车电子系统等对空间和效率有较高要求的应用场景。

RBAU40T04BSTR-A、RBAU60T04BSTR-A、RJH60T04BDPM-A0