时间：2025/12/28 22:04:34
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RJ26FW501 是一款由 Rohm（罗姆）公司生产的 N 沟道功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件主要用于需要高效率和高可靠性的电源管理应用，如 DC-DC 转换器、负载开关、电池管理系统以及各种高侧或低侧开关应用。RJ26FW501 采用小型化封装技术，适合高密度电路板设计，同时具备低导通电阻（Rds(on)）和高耐压特性，能够在较宽的工作温度范围内稳定运行。
类型：N 沟道 MOSFET
最大漏极电流（Id）：6.0 A
最大漏-源电压（Vds）：30 V
最大栅-源电压（Vgs）：±20 V
导通电阻（Rds(on)）：42 mΩ @ Vgs = 10 V
栅极电荷（Qg）：14 nC
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
封装形式：SOP-8FL
RJ26FW501 MOSFET 具备多项优异特性，适合高效率电源系统设计。其低导通电阻（仅 42 mΩ）可显著降低导通损耗，提高系统效率。该器件的栅极电荷较低（14 nC），有助于减少开关损耗，提高开关频率下的性能表现。
此外，RJ26FW501 支持高达 6A 的连续漏极电流和 30V 的漏-源耐压，适用于中高功率应用。其 ±20V 的栅极耐压能力增强了器件在高频或高噪声环境下的稳定性。
采用 SOP-8FL 小型封装，有助于节省 PCB 空间，适合便携设备、笔记本电脑、电源适配器等对空间敏感的应用场景。器件具有良好的热稳定性和抗热失效能力，确保在高温环境下仍能可靠运行。
内置的体二极管具有快速恢复特性，可在反向电流或电感负载切换时减少能量损耗和电压尖峰。此外，RJ26FW501 具备较高的可靠性，符合 RoHS 标准，适合工业和消费类电子产品的设计需求。
RJ26FW501 主要应用于需要高效能、小体积和高可靠性的功率管理电路中。典型应用包括同步整流型 DC-DC 转换器、电池充电与管理系统、电源负载开关、马达驱动电路、LED 驱动器以及各类便携式电子设备的电源模块。
在同步整流转换器中，RJ26FW501 可作为上下桥臂开关，实现高效的能量转换；在电池管理系统中，可用于充放电控制开关，确保电池安全运行；在负载开关电路中，其低导通电阻和快速开关特性可有效减少功耗并提升响应速度。
由于其小型封装和良好的热性能，RJ26FW501 也广泛应用于笔记本电脑、平板电脑、智能手机等消费电子产品中的电源管理单元。
Si2302DS、AO3400、FDMS86180、R6004END、FDMC805
