类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：30V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　连续漏极电流（ID）：100A（在TC=25℃）
　　导通电阻（RDS(on)）：3.2mΩ（典型值，VGS=10V）
　　功率耗散（PD）：80W
　　工作温度范围：-55℃ 至 150℃
　　封装：TSON10

RJ23W3EAONT 采用先进的沟槽式MOSFET技术，具有极低的导通电阻（RDS(on)），从而减少了导通损耗并提高了效率。其高电流承载能力使其适用于高功率密度的设计，如DC-DC转换器、电机驱动器和电池管理系统等。该器件的TSON封装不仅减小了PCB占用空间，还提供了良好的散热性能，有助于提高系统稳定性和寿命。
　　此外，RJ23W3EAONT具备出色的热稳定性，在高温环境下依然能够维持稳定的工作状态。其栅极驱动电压范围宽泛，支持4.5V至20V之间的驱动电压，兼容多种控制器和驱动电路。该MOSFET还具备较强的抗雪崩击穿能力，适用于存在感性负载的应用场合。
　　该器件符合RoHS环保标准，无铅封装设计满足现代电子产品对环保的要求。其高度集成的特性减少了外围电路的需求，有助于简化设计流程并降低整体系统成本。

RJ23W3EAONT 广泛应用于各种高功率、高效率的电子系统中，包括服务器电源、电信设备电源、工业自动化控制系统、电机驱动器、电池管理系统（BMS）、DC-DC转换器、负载开关以及电源管理模块等。其高电流和低导通电阻特性使其特别适合用于需要高效率和高可靠性的开关电源设计。

RJK23W3EAFCT、SiR182DP、NTMFS5C680NL、FDMS86180