时间：2025/6/6 13:13:29
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RHTVSHF0721N-S 是一款高性能的 N 沟道增强型 MOSFET，广泛应用于开关电源、电机驱动、负载开关等场景。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻和快速开关特性，能够显著提升系统效率并降低功耗。
其封装形式为 TO-252（DPAK），适用于表面贴装技术（SMT），具备良好的散热性能和机械稳定性。
型号：RHTVSHF0721N-S
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏源极电压（Vds）：60V
最大栅源极电压（Vgs）：±20V
最大漏极电流（Id）：30A
导通电阻（Rds(on)）：4.5mΩ（典型值，Vgs=10V时）
总功耗（Ptot）：1.8W
工作温度范围（Tj）：-55°C 至 +175°C
封装：TO-252（DPAK）
RHTVSHF0721N-S 的主要特点是其低导通电阻和高电流处理能力，这使其在功率转换应用中表现优异。
1. 低导通电阻（Rds(on)）：仅为4.5mΩ，可有效减少导通损耗，提升整体效率。
2. 快速开关特性：由于较低的输入电容和输出电容，器件的开关速度更快，适合高频应用。
3. 高可靠性：经过严格测试，确保在极端温度条件下的稳定性和耐用性。
4. 热性能优化：TO-252 封装提供出色的散热能力，支持高功率密度设计。
5. ESD保护：内置ESD防护电路，增强抗静电能力，提高系统鲁棒性。
RHTVSHF0721N-S 可应用于多种领域：
1. 开关电源（SMPS）：包括AC-DC适配器、DC-DC转换器等。
2. 电机驱动：用于无刷直流电机（BLDC）和其他小型电机控制。
3. 负载开关：在便携式电子设备中作为高效的负载开关。
4. 电池管理系统（BMS）：用于电池保护和充放电控制。
5. 工业自动化：如PLC模块、传感器接口等需要高效功率切换的场合。
RHRP120N06AE,
RHTR120N06,
IRFZ44N,
FDP5580
