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RHRD660S9A 发布时间 时间:2025/6/4 12:12:47 查看 阅读:5

RHRD660S9A 是一款由 Rohm 公司推出的高压 MOSFET 芯片,主要用于功率转换和电机驱动等应用领域。该器件采用了先进的沟槽式 MOSFET 技术,具有低导通电阻、高效率和出色的热性能。其设计旨在满足工业和汽车应用中对高效能和可靠性的严格要求。
  RHRD660S9A 的封装形式通常为行业标准的表面贴装类型,能够承受较高的电压和电流负载,同时具备快速开关特性,适用于高频开关电源和逆变器等场景。

参数

最大漏源电压:650V
  连续漏极电流:13A
  导通电阻:270mΩ
  栅极-源极电压:±20V
  工作结温范围:-55℃ 至 175℃
  总功耗:30W

特性

RHRD660S9A 的主要特性包括:
  1. 高耐压能力,最大漏源电压可达 650V,适合高压环境下的应用。
  2. 低导通电阻(270mΩ),可显著降低传导损耗,提高整体效率。
  3. 快速开关速度,支持高频操作,减少开关损耗。
  4. 宽工作温度范围(-55℃ 至 175℃),适应各种恶劣环境。
  5. 符合 AEC-Q101 标准,确保在汽车级应用中的可靠性。
  6. 提供过热保护功能,增强系统安全性。

应用

RHRD660S9A 广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)和 AC-DC 转换器。
  2. 工业电机驱动和逆变器。
  3. 汽车电子系统,如电动助力转向(EPS)和制动系统。
  4. 太阳能微型逆变器和其他可再生能源设备。
  5. LED 照明驱动器。
  6. 其他需要高压功率切换的应用场景。

替代型号

RHRD660S9B, IRF840, FDP55N65

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RHRD660S9A参数

  • 标准包装1
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭单二极管/整流器
  • 系列-
  • 二极管类型标准
  • 电压 - (Vr)(最大)600V
  • 电流 - 平均整流 (Io)6A
  • 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大)2.1V @ 6A
  • 速度快速恢复 = 200mA(Io)
  • 反向恢复时间(trr)35ns
  • 电流 - 在 Vr 时反向漏电100µA @ 600V
  • 电容@ Vr, F-
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
  • 供应商设备封装TO-252-3
  • 包装Digi-Reel®
  • 其它名称RHRD660S9ADKR