时间：2025/6/4 12:12:47
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RHRD660S9A 是一款由 Rohm 公司推出的高压 MOSFET 芯片，主要用于功率转换和电机驱动等应用领域。该器件采用了先进的沟槽式 MOSFET 技术，具有低导通电阻、高效率和出色的热性能。其设计旨在满足工业和汽车应用中对高效能和可靠性的严格要求。
RHRD660S9A 的封装形式通常为行业标准的表面贴装类型，能够承受较高的电压和电流负载，同时具备快速开关特性，适用于高频开关电源和逆变器等场景。
最大漏源电压：650V
连续漏极电流：13A
导通电阻：270mΩ
栅极-源极电压：±20V
工作结温范围：-55℃ 至 175℃
总功耗：30W
RHRD660S9A 的主要特性包括：
1. 高耐压能力，最大漏源电压可达 650V，适合高压环境下的应用。
2. 低导通电阻（270mΩ），可显著降低传导损耗，提高整体效率。
3. 快速开关速度，支持高频操作，减少开关损耗。
4. 宽工作温度范围（-55℃ 至 175℃），适应各种恶劣环境。
5. 符合 AEC-Q101 标准，确保在汽车级应用中的可靠性。
6. 提供过热保护功能，增强系统安全性。
RHRD660S9A 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）和 AC-DC 转换器。
2. 工业电机驱动和逆变器。
3. 汽车电子系统，如电动助力转向（EPS）和制动系统。
4. 太阳能微型逆变器和其他可再生能源设备。
5. LED 照明驱动器。
6. 其他需要高压功率切换的应用场景。
RHRD660S9B, IRF840, FDP55N65
