RHRD660S9A 是一款由 Rohm 公司推出的高压 MOSFET 芯片,主要用于功率转换和电机驱动等应用领域。该器件采用了先进的沟槽式 MOSFET 技术,具有低导通电阻、高效率和出色的热性能。其设计旨在满足工业和汽车应用中对高效能和可靠性的严格要求。
RHRD660S9A 的封装形式通常为行业标准的表面贴装类型,能够承受较高的电压和电流负载,同时具备快速开关特性,适用于高频开关电源和逆变器等场景。
最大漏源电压:650V
连续漏极电流:13A
导通电阻:270mΩ
栅极-源极电压:±20V
工作结温范围:-55℃ 至 175℃
总功耗:30W
RHRD660S9A 的主要特性包括:
1. 高耐压能力,最大漏源电压可达 650V,适合高压环境下的应用。
2. 低导通电阻(270mΩ),可显著降低传导损耗,提高整体效率。
3. 快速开关速度,支持高频操作,减少开关损耗。
4. 宽工作温度范围(-55℃ 至 175℃),适应各种恶劣环境。
5. 符合 AEC-Q101 标准,确保在汽车级应用中的可靠性。
6. 提供过热保护功能,增强系统安全性。
RHRD660S9A 广泛应用于以下领域:
1. 开关电源(SMPS)和 AC-DC 转换器。
2. 工业电机驱动和逆变器。
3. 汽车电子系统,如电动助力转向(EPS)和制动系统。
4. 太阳能微型逆变器和其他可再生能源设备。
5. LED 照明驱动器。
6. 其他需要高压功率切换的应用场景。
RHRD660S9B, IRF840, FDP55N65