RHP020N06T100是一款高压功率MOSFET,适用于高频开关电源、DC-DC转换器、电机驱动等高效率应用。该器件采用先进的沟槽技术制造,具有低导通电阻和快速开关特性,能够显著降低功率损耗并提高系统效率。
此型号属于英飞凌(Infineon)的CoolMOS系列,以其卓越的性能和可靠性而闻名,特别适合要求高功率密度和高效能的设计。
最大漏源电压:600V
连续漏极电流:2A
导通电阻:3.5Ω(典型值,Vgs=10V)
栅极电荷:8nC(典型值)
反向恢复时间:9ns(典型值)
工作结温范围:-55℃至+150℃
RHP020N06T100具有以下特点:
1. 高耐压能力,额定电压为600V,适用于多种高压应用场景。
2. 极低的导通电阻,在Vgs=10V时仅为3.5Ω,有助于减少导通损耗。
3. 快速开关性能,反向恢复时间仅9ns,有效降低开关损耗。
4. 小巧的封装设计,通常采用TO-252(DPAK)封装,节省PCB空间。
5. 高效散热性能,适合长时间稳定运行。
6. 优异的抗雪崩能力和鲁棒性,能够在恶劣环境下可靠工作。
这款MOSFET广泛应用于以下领域:
1. 开关电源(SMPS),包括适配器和充电器。
2. DC-DC转换器,用于汽车电子和工业设备。
3. 电机驱动电路,如家用电器中的无刷直流电机控制。
4. 能量存储系统(ESS)和太阳能逆变器。
5. 各类高频功率转换电路。
IPW20N06T100,
RFP020N06LS,
IXFN20N60T,
STP2NK60Z