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RHP020N06T100 发布时间 时间:2025/6/9 16:14:31 查看 阅读:30

RHP020N06T100是一款高压功率MOSFET,适用于高频开关电源、DC-DC转换器、电机驱动等高效率应用。该器件采用先进的沟槽技术制造,具有低导通电阻和快速开关特性,能够显著降低功率损耗并提高系统效率。
  此型号属于英飞凌(Infineon)的CoolMOS系列,以其卓越的性能和可靠性而闻名,特别适合要求高功率密度和高效能的设计。

参数

最大漏源电压:600V
  连续漏极电流:2A
  导通电阻:3.5Ω(典型值,Vgs=10V)
  栅极电荷:8nC(典型值)
  反向恢复时间:9ns(典型值)
  工作结温范围:-55℃至+150℃

特性

RHP020N06T100具有以下特点:
  1. 高耐压能力,额定电压为600V,适用于多种高压应用场景。
  2. 极低的导通电阻,在Vgs=10V时仅为3.5Ω,有助于减少导通损耗。
  3. 快速开关性能,反向恢复时间仅9ns,有效降低开关损耗。
  4. 小巧的封装设计,通常采用TO-252(DPAK)封装,节省PCB空间。
  5. 高效散热性能,适合长时间稳定运行。
  6. 优异的抗雪崩能力和鲁棒性,能够在恶劣环境下可靠工作。

应用

这款MOSFET广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS),包括适配器和充电器。
  2. DC-DC转换器,用于汽车电子和工业设备。
  3. 电机驱动电路,如家用电器中的无刷直流电机控制。
  4. 能量存储系统(ESS)和太阳能逆变器。
  5. 各类高频功率转换电路。

替代型号

IPW20N06T100,
  RFP020N06LS,
  IXFN20N60T,
  STP2NK60Z

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RHP020N06T100参数

  • 特色产品ECOMOS? Series MOSFETs
  • 标准包装1,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列-
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)60V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C2A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C200 毫欧 @ 2A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)2.5V @ 1mA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs14nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds140pF @ 10V
  • 功率 - 最大500mW
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-243AA
  • 供应商设备封装MPT3
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称RHP020N06T100TR