时间：2025/6/17 14:17:11
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RHLTVSDC02R521N-S 是一款基于硅技术的高效瞬态电压抑制器（TVS），主要用于保护电子设备免受静电放电（ESD）、电感负载开关和雷击等瞬态过压事件的损害。该器件具有低电容特性，非常适合高速信号线路中的保护应用。其封装形式为 SOD-323FL，能够提供紧凑型解决方案。
此 TVS 器件被广泛应用于 USB、HDMI、以太网接口以及其他高频数据传输线路中，确保系统稳定性和可靠性。
类型：瞬态电压抑制器 (TVS)
反向 standoff 电压 (Vrwm)：2.8V
最大钳位电压 (Vc)：6.4V
峰值脉冲电流 (Ipp)：38A
反向漏电流 (Ir)：1μA（最大值，在 25°C 下）
结电容 (Cj)：5pF（典型值）
响应时间：1ps（典型值）
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装：SOD-323FL
RHLTVSDC02R521N-S 具有卓越的 ESD 防护能力，符合 IEC 61000-4-2 国际标准，能够承受高达 ±30kV 的接触放电和 ±30kV 的空气放电。
其低电容设计使得对高速信号的影响降至最低，适用于各种高频应用场景。
此外，它还具有极快的响应时间，能够在瞬态事件发生时迅速动作，从而有效保护后端电路。
RHLTVSDC02R521N-S 还具备出色的重复浪涌能力，确保在多次瞬态冲击下依然保持性能稳定。
由于采用了小型化的 SOD-323FL 封装，这款 TVS 器件非常适合空间受限的设计。
RHLTVSDC02R521N-S 可用于多种需要 ESD 和浪涌保护的场景，包括但不限于以下应用：
- 高速数据接口防护，例如 USB 2.0/3.0、HDMI、DisplayPort 等
- 移动通信设备中的射频前端保护
- 工业控制设备中的信号线保护
- 汽车电子系统的瞬态电压抑制
- 医疗设备中的敏感信号线路防护
- 以太网 PHY 和 RJ45 接口的浪涌防护
总之，任何需要可靠 ESD 和瞬态电压保护的场合均可考虑使用此器件。
PESD2V8T4, SMAJ2.8A, SMBJ2.8A
