时间：2025/6/28 10:59:55
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RHK003N06T146 是一款 N 沟道增强型功率 MOSFET，采用先进的半导体工艺制造。该器件具有低导通电阻和高开关速度的特点，非常适合用于需要高效能和快速响应的应用场景。其封装形式为 TO-252（DPAK），能够提供良好的散热性能。
最大漏源电压：60V
最大连续漏极电流：3.1A
导通电阻（典型值）：0.075Ω
栅极电荷：10nC
开关时间：开启延迟时间：18ns，上升时间：9ns，关断传播时间：28ns，下降时间：12ns
工作结温范围：-55℃ 至 +150℃
RHK003N06T146 具有以下显著特点：
1. 极低的导通电阻 (Rds(on))，可有效减少导通损耗并提升系统效率。
2. 高速开关能力，使其在高频应用中表现出色。
3. 小型化封装设计，便于电路板布局并节省空间。
4. 出色的热稳定性，适用于各种严苛的工作环境。
5. 支持高负载电流，满足多种功率转换需求。
6. 提供可靠的静电防护功能以保护芯片免受 ESD 损坏。
RHK003N06T146 广泛应用于多个领域：
1. 开关电源中的同步整流电路。
2. DC/DC 转换器及降压、升压拓扑。
3. 电机驱动控制，如步进电机或直流无刷电机。
4. 电池管理系统的充放电路径控制。
5. 各类消费电子产品的负载开关。
6. 工业自动化设备中的信号隔离与功率传输。
7. 照明产品中的 LED 驱动电路。
RHK003N06L, IRFZ44N, FDP014N06L
