RGP20J 是一款 N 沟道功率场效应晶体管(MOSFET),广泛应用于开关电源、电机驱动和负载开关等场景。该器件采用 TO-252 封装形式,具有低导通电阻和高效率的特点,适用于需要高效能转换的电子电路设计。
RGP20J 的主要功能是作为电子开关或放大器使用,其出色的电气性能使其能够在高电流和高电压条件下稳定运行。此外,由于其封装小巧且易于安装,因此非常适合用于空间受限的应用环境。
最大漏源电压:60V
最大栅源电压:±20V
持续漏极电流:20A
导通电阻:8.5mΩ
总功耗:14W
工作结温范围:-55℃ 至 +175℃
封装形式:TO-252
RGP20J 具有以下显著特性:
1. 极低的导通电阻(8.5mΩ),可显著降低功率损耗并提高系统效率。
2. 高持续漏极电流能力(20A),能够支持大功率应用需求。
3. 快速开关速度,减少开关损耗,适合高频开关应用。
4. 工作温度范围宽广(-55℃ 至 +175℃),适应多种严苛的工作环境。
5. 小巧的 TO-252 封装形式,便于 PCB 布局和散热设计。
6. 符合 RoHS 标准,环保无铅材料,满足现代电子产品对环保的要求。
RGP20J 主要应用于以下领域:
1. 开关电源(SMPS)中的功率开关。
2. 电机驱动电路中的功率级控制。
3. 负载开关和保护电路。
4. LED 照明驱动中的功率管理。
5. 电池管理系统中的充放电控制。
6. 各类工业自动化设备中的功率切换和调节。
7. 汽车电子中的继电器替代和电源管理。
RGP20J 凭借其优异的性能和可靠性,成为许多高性能功率应用的理想选择。
IRFZ44N
STP20NF06L
FDP5500
AO3400