类型：射频晶体管
　　技术：HEMT（高电子迁移率晶体管）
　　频率范围：800 MHz - 2.5 GHz
　　最大输出功率：80 W
　　增益：约18 dB
　　效率：约65%
　　工作电压：28 V
　　封装类型：表面贴装（SMD）
　　工作温度范围：-55°C至+150°C

RGA80TRX2EHR具有出色的高频性能和高效能转换率，使其成为无线通信设备和雷达系统的理想选择。其HEMT技术确保了低噪声和高增益，同时在高频操作中保持稳定。该晶体管的高可靠性设计使其能够在严苛的环境条件下运行，包括极端温度和湿度。此外，RGA80TRX2EHR的表面贴装封装设计有助于简化PCB布局和组装流程，降低了生产成本并提高了整体系统性能。
　　这款晶体管还具有良好的线性度和低失真特性，适用于需要高信号完整性的应用，如多载波通信系统和宽带放大器。其热稳定性和过载保护功能进一步增强了其在高功率应用中的适用性。RGA80TRX2EHR的设计还考虑了易用性，使得工程师能够轻松地将其集成到现有设计中，并实现最佳性能。

RGA80TRX2EHR主要用于无线通信基础设施，如基站和中继器，以及雷达系统和测试测量设备。它适用于需要高输出功率和高可靠性的应用，例如在4G和5G移动通信网络中的射频功率放大器设计。此外，该晶体管还广泛应用于工业和军事领域的射频系统，包括高精度测量设备和高频信号发生器。由于其出色的性能和稳定性，RGA80TRX2EHR也是广播和卫星通信系统的理想选择。

RGA80TRX2EHR的替代型号包括Cree的CGH40080和NXP的BLF881。