类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏源电压（Vds）：650V
　　漏栅电压（Vgs）：±30V
　　连续漏极电流（Id）：10A（Tc=25°C）
　　脉冲漏极电流（Idm）：40A
　　导通电阻（Rds(on)）：典型值0.75Ω（最大值约0.9Ω，Vgs=10V）
　　阈值电压（Vth）：2.0V ~ 4.0V
　　输入电容（Ciss）：约1100pF（Vds=25V, f=1MHz）
　　输出电容（Coss）：约350pF
　　反向恢复时间（trr）：无体二极管优化设计，适用于硬开关电路
　　工作结温范围（Tj）：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：TO-220、TO-220F、TO-252（DPAK）等

10N65TL具备出色的高压阻断能力和稳定的电气性能，能够在高达650V的漏源电压下正常工作，确保在市电整流后的高压母线上安全运行。其低导通电阻特性有效降低了导通损耗，提升了整体电源系统的转换效率，尤其在轻载和满载工况下均表现出优异的能效平衡。
　　该器件采用了优化的晶圆结构设计，提高了单位面积的载流能力，从而实现了在较小芯片尺寸下的大电流承载能力。同时，其栅极氧化层经过特殊处理，增强了对过压冲击的耐受性，避免因瞬态电压导致的栅氧击穿问题，提升了长期使用的可靠性。
　　10N65TL还具备良好的热传导性能，配合合适的散热器可在较高环境温度下持续工作。其内部寄生参数经过精心调控，减少了开关过程中的振荡现象，有利于EMI性能的改善。此外，该MOSFET支持快速开关操作，适用于几十kHz到数百kHz的高频开关电源拓扑，如反激、正激、半桥等。
　　在抗雪崩能力方面，10N65TL通过了严格的UIS（单脉冲雪崩能量）测试，能够在意外过压或感性负载关断时吸收一定的能量而不损坏，增强了系统鲁棒性。其体二极管虽然未专门优化，但在续流过程中仍可提供基本的保护功能。
　　总体而言，10N65TL是一款兼顾高性能与成本效益的高压MOSFET，适用于多种中功率电源应用，且在批量生产中表现出一致的质量和稳定性，是许多电源设计工程师的优选器件之一。

10N65TL广泛应用于各类中高电压开关电源系统中，典型用途包括AC-DC适配器、手机充电器、笔记本电源、LED驱动电源以及小型逆变器等消费类电子产品；同时也常见于工业级电源模块、电动工具充电器、通信电源单元和家用电器中的功率控制部分。
　　在反激式开关电源（Flyback Converter）中，10N65TL常被用作主开关管，连接在变压器初级侧，负责将直流高压斩波成高频脉冲，以便通过变压器实现电压变换与隔离。其650V的耐压等级足以应对全球范围内交流输入（85V~265V AC）经整流滤波后的峰值电压（约380V~400V），并留有充足的安全裕量。
　　此外，该器件也可用于有源功率因数校正（PFC）电路中的升压开关管，尤其是在临界导通模式（CRM）或连续导通模式（CCM）PFC拓扑中发挥关键作用，帮助提升系统功率因数并降低谐波失真。
　　在电机控制领域，10N65TL可用于小功率直流无刷电机或步进电机的驱动桥臂中，实现高效的能量转换与精确的速度调节。其快速的开关响应能力有助于减少动态损耗，提高控制精度。
　　由于其封装形式多样（如TO-220便于安装散热片，TO-252适用于表面贴装自动化生产），10N65TL能够灵活适应不同产品的装配需求，既可用于通孔插件也支持回流焊工艺，因此在中小功率电源产品的大规模制造中得到了广泛应用。

STP10NK60ZFP
　　FQP10N65
　　IRFGB40
　　KSE10N65