时间：2025/12/25 11:31:59
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RFX10TF6S是一款由STMicroelectronics（意法半导体）生产的N沟道功率MOSFET，采用PowerFLAT 5x6封装技术。该器件专为高效率电源管理应用而设计，尤其适用于需要低导通电阻和高电流处理能力的场合。RFX10TF6S在性能上表现出色，能够在紧凑的空间内实现高效的功率转换，因此广泛应用于DC-DC转换器、开关电源（SMPS）、电机驱动以及电池管理系统等电力电子系统中。其先进的沟槽栅极制造工艺确保了优异的电气特性，包括较低的栅极电荷和输出电容，从而减少了开关损耗并提高了整体系统效率。此外，该器件具备良好的热稳定性与可靠性，在高温环境下仍能保持稳定的性能输出，适合工业级工作温度范围使用。PowerFLAT封装无引脚设计不仅减小了寄生电感，还提升了散热性能，使其能够通过PCB有效导热，满足对空间和热管理要求较高的现代电子产品需求。
型号：RFX10TF6S
类型：N沟道MOSFET
封装：PowerFLAT 5x6
漏源电压VDS：100 V
连续漏极电流ID（@25°C）：48 A
脉冲漏极电流IDM：190 A
导通电阻RDS(on) max（@VGS=10V）：10 mΩ
导通电阻RDS(on) max（@VGS=4.5V）：14 mΩ
栅极阈值电压VGS(th)：2.0 ~ 4.0 V
输入电容Ciss：3720 pF
输出电容Coss：590 pF
反向恢复时间trr：27 ns
最大工作结温Tj：175 °C
功率耗散PD：100 W
RFX10TF6S采用了ST先进的沟槽栅极垂直结构技术，这种设计显著优化了器件的导通电阻与开关特性的平衡。其超低的RDS(on)值——在VGS=10V时典型值仅为10mΩ，极大地降低了导通状态下的功率损耗，提升了系统能效，特别适合大电流应用场景如服务器电源、电动工具和电动汽车车载设备。该MOSFET具有较低的栅极电荷（Qg），这直接减少了驱动电路所需的能量，并加快了开关速度，从而有效降低高频操作中的开关损耗。同时，其较小的输出电容（Coss）也有助于减少关断期间的能量损耗，进一步提高转换效率。
该器件具备优良的雪崩耐受能力和抗短路能力，增强了系统在异常工况下的鲁棒性。内部结构经过优化，可在高温条件下稳定运行，最大结温可达175°C，支持严苛环境下的长期可靠运行。PowerFLAT 5x6封装不仅尺寸小巧（仅5mm x 6mm），而且底部带有裸露焊盘，可通过PCB大面积铺铜实现高效散热，热阻Rth(j-c)低至1.25°C/W，确保热量迅速传导至电路板，避免局部过热问题。
此外，RFX10TF6S符合RoHS环保标准，不含铅和有害物质，适用于绿色电子产品设计。其无引脚封装形式也降低了组装过程中因机械应力导致的失效风险，提升了焊接可靠性。由于其优异的动态性能和热管理能力，该器件非常适合用于高密度电源模块、同步整流、热插拔控制器及高端计算设备中的多相降压变换器等先进应用。工程师在使用时应注意栅极驱动信号的完整性，建议配合专用驱动IC以充分发挥其高频高速优势。
RFX10TF6S广泛应用于各类高性能电源系统中，典型用途包括但不限于：大功率DC-DC转换器，尤其是多相同步整流拓扑结构中的下管或上管；开关模式电源（SMPS），用于提高转换效率并减小整体体积；电信基础设施设备中的电源单元，如基站和路由器的供电模块；工业自动化控制系统中的电机驱动电路；笔记本电脑、工作站和服务器主板上的电压调节模块（VRM）；电池供电系统，例如电动自行车、便携式医疗设备和储能系统的充放电控制回路；还可用于LED照明驱动、太阳能逆变器以及汽车辅助电源系统等领域。得益于其高电流承载能力和紧凑封装，它特别适合对空间敏感且追求高功率密度的设计方案。
IRF1010E, FQP10N10L, STP100N10F7, IPD95R1K0P7S
