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54S189 发布时间 时间:2025/7/26 14:01:33 查看 阅读:59

54S189 是一款高速TTL(晶体管-晶体管逻辑)类型的16位静态随机存取存储器(SRAM),由德州仪器(Texas Instruments)制造。该芯片属于54系列军用级器件,工作温度范围宽,适用于对可靠性和性能要求较高的工业和军事应用。54S189采用高速S型TTL技术,具有较低的访问时间和较高的数据稳定性,常用于高速缓存、数据缓冲和实时控制系统中。

参数

存储容量:16位 x 4字(64位总容量)
  电源电压:5V ± 10%
  访问时间(tRC):典型值为12ns(在5V供电下)
  工作温度范围:-55°C 至 +125°C(军用级标准)
  封装类型:24引脚陶瓷双列直插封装(CerDIP)
  输入/输出电平:TTL兼容
  最大功耗:约300mW

特性

54S189的最大特点在于其高速访问性能和军用级可靠性。该芯片采用先进的S型TTL技术,使其在5V供电下具有极低的读取访问时间(低至12ns),适合高速数据处理场合。芯片内部采用静态存储单元设计,无需刷新操作,提高了系统稳定性。此外,其军用级温度范围(-55°C 至 +125°C)使其适用于极端环境条件下的应用,如航空航天、军事雷达和通信设备。54S189的引脚排列设计与标准SRAM兼容,便于集成到现有电路中。
  该芯片的另一个重要特性是其低功耗设计。虽然工作频率高,但其功耗控制在合理范围内(最大约300mW),有利于提高系统的能效和热稳定性。54S189还具备较强的抗干扰能力,适合在电磁环境复杂的系统中使用。此外,其TTL兼容的输入/输出电平使其能够与多种数字逻辑电路无缝连接,简化了接口设计。

应用

54S189广泛应用于对速度和可靠性有高要求的电子系统中。常见的应用包括高速数据缓存、实时控制系统的临时存储器、军事通信设备中的数据缓冲模块、测试仪器的快速存储单元以及航空航天电子系统中的关键数据存储节点。由于其高速性能,该芯片也常用于早期的计算机系统、数字信号处理(DSP)系统以及嵌入式控制器中,作为快速存储器使用。

替代型号

54LS189, 74S189, 74LS189

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