型号：RFUS10TF4S
　　极性：P沟道
　　漏源电压（VDS）：-20V
　　栅源电压（VGS）：±12V
　　连续漏极电流（ID）：-1.8A（@TA=25℃）
　　脉冲漏极电流（IDM）：-4.5A
　　导通电阻RDS(on)：-75mΩ（@VGS=-4.5V）
　　导通电阻RDS(on)：-100mΩ（@VGS=-2.5V）
　　阈值电压（Vth）：-0.6V ~ -1.0V
　　输入电容（Ciss）：230pF（@VDS=-10V）
　　输出电容（Coss）：110pF（@VDS=-10V）
　　反向恢复时间（trr）：未集成体二极管或极快
　　工作结温范围（Tj）：-55℃ ~ +150℃
　　存储温度范围：-55℃ ~ +150℃
　　封装类型：CST3（SOT-723）
　　安装方式：表面贴装
　　热阻θJA：约250℃/W（依PCB布局而定）
　　最大功耗（Ptot）：300mW

RFUS10TF4S采用ROHM独有的Trench型MOSFET工艺，这种结构能够在单位面积内实现更高的沟道密度，从而显著降低导通电阻RDS(on)，提升器件的整体能效。其RDS(on)在VGS=-4.5V时仅为75mΩ，在同类P沟道小信号MOSFET中处于领先水平，这意味着在相同电流条件下产生的导通损耗更低，有助于延长电池供电设备的续航时间。同时，该器件具备良好的栅极电荷特性，Qg典型值较低，使得开关过程中的驱动能量消耗减少，进一步优化了动态功耗表现。由于采用了先进的硅片加工技术和严格的品质控制流程，RFUS10TF4S表现出优异的一致性和长期稳定性。
　　该器件的工作结温可达+150℃，并具备出色的热反馈抑制能力，即使在高温环境下也能保持稳定的电气性能。其阈值电压Vth分布在-0.6V至-1.0V之间，属于典型的逻辑电平MOSFET范畴，因此可以直接由3.3V或更低电压的微控制器GPIO引脚驱动，无需额外的电平转换电路，简化了系统设计复杂度。此外，RFUS10TF4S的体二极管具有较快的反向恢复特性，减少了在感性负载切换过程中可能引发的电压尖峰和电磁干扰问题，提升了系统的EMI兼容性。
　　CST3封装尺寸仅为1.0mm x 1.0mm x 0.5mm，是目前最小的表面贴装功率MOSFET封装之一，非常适合用于高度集成的移动电子产品主板布局。尽管封装微小，但ROHM通过优化内部连接结构和焊盘设计，确保了足够的机械强度和散热能力。器件符合RoHS环保标准，并通过AEC-Q101车规级可靠性认证的部分测试项目，表明其不仅适用于消费类电子，也可用于汽车电子中的非主控单元模块。整体来看，RFUS10TF4S以其低导通电阻、小尺寸、高可靠性和良好驱动兼容性，成为现代高效电源架构中的理想选择。

RFUS10TF4S广泛应用于需要高效、小型化电源开关解决方案的各种便携式和嵌入式电子系统中。常见用途包括作为电池供电设备中的负载开关，用于控制不同功能模块的电源通断，如显示屏背光、摄像头模组、无线通信模块（Wi-Fi、蓝牙）的供电使能，以实现节能待机或分时供电管理。在多电源系统中，它可用于电源路径切换，例如在主电池与备用电池之间进行自动切换，或者在外部适配器接入时切断电池输出，保护电池寿命。此外，该器件也适合用作ORing二极管的替代方案，利用其低RDS(on)特性实现近乎理想的二极管行为，避免传统肖特基二极管的正向压降带来的能量损失，从而提高系统效率。
　　在电机驱动领域，RFUS10TF4S可用于微型直流电机的方向控制或启停控制，尤其是在玩具、微型泵、智能门锁等低功率设备中表现出色。由于其支持逻辑电平驱动，可直接连接MCU输出引脚，省去复杂的驱动电路，降低整体成本和PCB空间占用。在热插拔电路设计中，该MOSFET可作为软启动开关使用，通过外接RC网络控制栅极电压上升速率，限制浪涌电流，防止系统电压跌落导致复位或损坏敏感元件。
　　在工业传感器节点、智能家居终端和可穿戴健康监测设备中，RFUS10TF4S常被用于构建超低静态功耗的电源管理系统，配合低压差稳压器（LDO）或DC-DC转换器实现精细化电源域控制。其高开关速度和低寄生参数也有利于高频PWM调光或调速应用。总之，凡是要求体积小、功耗低、响应快的P沟道开关场景，RFUS10TF4S都是一种极具竞争力的技术选项。

RMLV12N03TR-F
　　DMG2304L-7
　　Si2301DS
　　FDMC7668