时间：2025/4/29 16:19:27
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RFUH25T 是一款高性能的功率 MOSFET，采用先进的制程技术制造，适用于高频开关和高效能电源管理应用。该器件具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能，能够满足现代电子设备对效率和可靠性的严格要求。
RFUH25T 的封装形式通常为表面贴装类型（如 DPAK 或类似的紧凑型封装），这使其非常适合空间受限的设计场景。
最大漏源电压：40V
连续漏极电流：30A
导通电阻：2.5mΩ
栅极电荷：10nC
开关频率：高达 1MHz
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
RFUH25T 具有非常低的导通电阻 (Rds(on))，这显著减少了传导损耗，从而提高了整体系统效率。
其高开关速度使得它在高频开关应用中表现出色，例如 DC-DC 转换器和电机驱动等场景。
此外，RFUH25T 还具备出色的热稳定性，能够在高温环境下长时间运行而不影响性能。这种器件还设计了内置保护功能以增强可靠性，包括过流保护和短路耐受能力。
由于采用了优化的封装设计，RFUH25T 提供了良好的散热性能，有助于进一步提升系统的稳定性和寿命。
RFUH25T 广泛应用于各种电力电子领域，包括但不限于：
- 开关模式电源 (SMPS)
- DC-DC 转换器
- 电机驱动和控制
- 工业自动化设备
- 汽车电子系统中的负载开关和保护电路
- 高效 LED 驱动器
该器件特别适合需要高效率、快速响应和紧凑设计的应用场合。
RFUH25N, IRF250, STP30NF10
