时间：2025/12/26 8:30:52
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DMP3098LDM-7是一款由Diodes Incorporated生产的双P沟道增强型MOSFET，采用先进的TrenchFET技术制造。该器件封装在小型化的PowerDI5060（SOT1223）封装中，适用于空间受限的高效率电源管理应用。两个独立的P沟道MOSFET集成在同一封装内，能够实现对称的电气性能，非常适合用于负载开关、电池管理、电源路径控制以及电机驱动等场景。其低导通电阻和高功率密度特性使得它在便携式设备如智能手机、平板电脑、可穿戴设备和无线耳机等产品中具有广泛的应用前景。DMP3098LDM-7在设计上优化了热性能与电流处理能力，在保证小型化的同时仍能承受较高的持续电流负载，同时具备良好的开关速度和较低的栅极电荷，有助于降低开关损耗并提升系统整体效率。
型号：DMP3098LDM-7
通道类型：双P沟道
漏源电压(VDS)：-30V
连续漏极电流(ID) @ 25°C：-6.8A
连续漏极电流(ID) @ 70°C：-4.5A
脉冲漏极电流(IDM)：-20A
栅源电压(VGS)：±20V
导通电阻(RDS(on)) @ VGS = -10V：4.5mΩ（最大）
导通电阻(RDS(on)) @ VGS = -4.5V：6.0mΩ（最大）
导通电阻(RDS(on)) @ VGS = -2.5V：9.0mθ（最大）
阈值电压(Vth)：-1.0V ~ -2.0V
输入电容(Ciss)：660pF @ VDS=15V
反向恢复时间(trr)：28ns
工作结温范围(Tj)：-55°C ~ +150°C
封装类型：PowerDI5060 (SOT1223)
安装方式：表面贴装(SMD)
DMP3098LDM-7采用了先进的TrenchFET工艺技术，这种结构通过垂直沟槽设计显著降低了单位面积下的导通电阻，从而实现了极低的RDS(on)，即使在低栅极驱动电压下也能保持优异的导通性能。这使得器件能够在电池供电系统中有效减少功率损耗，提高能效。其双P沟道配置特别适合用于高端开关应用，例如在电源多路复用或电池与适配器之间的切换电路中，无需额外的电平移位器即可直接由逻辑信号控制。
该器件的封装采用PowerDI5060，是一种无引线、底部散热的表面贴装封装，具有出色的热传导性能，能够在紧凑的空间内高效地将热量传递至PCB，从而支持更高的持续电流输出。此外，该封装符合RoHS标准，并且具备良好的机械强度和焊接可靠性，适用于自动化高速贴片生产流程。
DMP3098LDM-7还具备优良的开关特性，包括较低的输入电容和栅极电荷（Qg），这意味着在高频开关操作中所需的驱动能量更少，进一步降低了动态功耗。同时，较短的反向恢复时间（trr）也减少了体二极管在换流过程中的损耗，提升了系统的整体效率，尤其在同步整流或H桥驱动应用中表现突出。
器件的工作结温范围宽达-55°C至+150°C，确保其在严苛环境条件下仍能稳定运行，适用于工业级和消费类多种应用场景。内置的静电放电（ESD）保护能力也为器件提供了基本的抗干扰保障，增强了系统的鲁棒性。综合来看，DMP3098LDM-7是一款高性能、高集成度的双P沟道MOSFET解决方案，适用于追求小型化与高效能平衡的设计需求。
DMP3098LDM-7广泛应用于需要高效电源管理和紧凑布局的便携式电子产品中。典型应用包括移动设备中的电源路径管理，例如在智能手机和平板电脑中实现电池与外部电源之间的无缝切换；作为高端负载开关用于控制不同功能模块的供电通断，以达到节能目的；也可用于USB OTG电源输出控制、相机模组供电开关以及音频子系统的电源隔离。
在电池管理系统中，该器件可用于过放电或过流保护电路中的开关元件，凭借其低导通电阻减少压降和发热问题。此外，在直流电机驱动电路中，特别是微型马达或振动马达控制中，DMP3098LDM-7可以构成H桥结构的一部分，实现正反转控制。
由于其良好的热性能和小尺寸封装，该器件也适用于空间极为有限的可穿戴设备，如智能手表、TWS耳机充电盒、健康监测手环等，帮助设计师在不牺牲性能的前提下缩小PCB面积。另外，在热插拔电路或冗余电源切换系统中，DMP3098LDM-7也能发挥其快速响应和低损耗的优势，确保系统供电的连续性和稳定性。
DMG2302LFS-7
DMP2098K-7
AO4490
