类型：射频低噪声放大器用SiGe HBT
　　集电极-发射极电压（Vceo）：最大5.0 V
　　发射极-基极电压（Vebo）：最大3.0 V
　　集电极电流（Ic）：最大50 mA
　　功率耗散（Pd）：约200 mW
　　截止频率（fT）：典型值180 GHz
　　噪声系数（NF）：典型值0.8 dB @ 2.4 GHz, Ic=5mA
　　增益（hFE）：典型值120 @ Vce=3V, Ic=10mA
　　工作温度范围：-40°C 至 +125°C
　　封装形式：SC-70（SOT-343）
　　引脚数：6
　　极性：NPN

RFUH10TF6S的核心优势在于其基于硅锗（SiGe）异质结双极晶体管（HBT）架构所带来的卓越高频性能。其典型的截止频率（fT）高达180 GHz，使其能够在毫米波以下的广泛频段内稳定工作，特别适合2.4 GHz、5 GHz乃至更高频段的无线通信系统。这一特性使得它在Wi-Fi 6/6E、蓝牙5.x以及部分5G sub-6GHz应用场景中表现出色。该器件在低偏置电流下仍能维持极低的噪声系数——在2.4 GHz频率下典型值仅为0.8 dB，这极大地提升了接收链路的灵敏度，有助于延长无线设备的通信距离并提高数据传输可靠性。
　　此外，RFUH10TF6S具备良好的线性度和较高的增益表现，在小信号放大任务中能够有效抑制非线性失真，确保信号完整性。其高fT与高击穿电压之间的优化设计，使器件在高频工作的前提下依然具备一定的耐压能力，增强了系统鲁棒性。该器件支持宽泛的工作温度范围（-40°C至+125°C），可在恶劣环境条件下可靠运行，适用于工业级和消费级多种产品。SC-70小型贴片封装不仅节省PCB空间，还具有优良的高频寄生参数控制，有利于实现紧凑型射频前端模组设计。
　　得益于Rohm在SiGe工艺上的深厚积累，RFUH10TF6S在制造一致性、长期可靠性和抗ESD能力方面均有出色表现。其符合RoHS环保标准，并通过了严格的车规或工业级可靠性测试（视具体版本而定）。该器件易于与其他CMOS基带芯片协同集成，降低了整体系统设计复杂度。同时，较低的静态工作电流也使其适用于电池供电的便携式设备，在保证性能的同时兼顾能效需求。这些综合特性共同构成了RFUH10TF6S在现代高频模拟前端设计中的核心竞争力。

RFUH10TF6S广泛应用于各类高频无线通信系统的射频前端模块中，尤其适合作为低噪声放大器（LNA）使用于接收通道中。典型应用包括但不限于：Wi-Fi 6/6E路由器与客户端设备中的2.4 GHz和5 GHz频段信号放大；蓝牙音频耳机、信标及IoT传感器节点中的射频信号接收增强；Zigbee和Thread等智能家居网络中的高灵敏度接收器设计；蜂窝通信系统中的辅助射频链路；以及UWB（超宽带）定位系统中的前置放大单元。此外，该器件也可用于移动终端中的分集天线接收路径、GPS/GLONASS等卫星导航信号的前置放大，以及各类无线传感网络中的远程信号捕获。其高频特性还使其可用于测试仪器、软件定义无线电（SDR）平台和射频收发器评估板中作为通用型宽带放大元件。在汽车电子领域，该器件可应用于车载信息娱乐系统的无线连接模块、胎压监测系统（TPMS）接收器以及车载Wi-Fi热点设备中。由于其小型化封装和高性能特点，RFUH10TF6S非常适合集成到多层高密度PCB和模块化射频前端（FEM）中，是现代紧凑型无线设备的理想选择之一。