时间：2025/12/25 11:30:08
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RFU02VSM6STR是一款由Rohm Semiconductor（罗姆半导体）生产的N沟道功率MOSFET，采用超小型S-Mini（SOT-563）封装，专为高密度、低功耗应用设计。该器件具有低导通电阻（RDS(on)）、高开关速度和良好的热稳定性，适用于便携式电子设备中的电源管理与负载开关控制。其额定电压为20V，连续漏极电流可达1.7A，在电池供电系统中表现出色。由于采用了先进的沟槽栅极工艺技术，RFU02VSM6STR在保持高性能的同时实现了极小的占板面积，非常适合空间受限的应用场景，如智能手机、可穿戴设备、物联网终端以及各类消费类电子产品。此外，该器件符合RoHS环保标准，并具备无卤素（Halogen-free）特性，满足现代电子产品对环境友好材料的要求。
型号：RFU02VSM6STR
制造商：ROHM Semiconductor
产品类型：MOSFET
拓扑结构：N-Channel
漏源电压(Vdss)：20 V
栅源电压(Vgs)：±12 V
连续漏极电流(Id) @25°C：1.7 A
脉冲漏极电流(Idm)：4.8 A
导通电阻(Rds on) @Vgs=4.5V：0.22 Ω
导通电阻(Rds on) @Vgs=2.5V：0.28 Ω
导通电阻(Rds on) @Vgs=1.8V：0.33 Ω
阈值电压(Vgs th)：0.6 V ~ 1.0 V
输入电容(Ciss)：290 pF @ Vds=10V
输出电容(Coss)：140 pF @ Vds=10V
反向传输电容(Crss)：40 pF @ Vds=10V
栅极电荷(Qg)：3.8 nC @ Vds=10V
最大功耗(Pd)：300 mW
工作结温范围(Tj)：-55°C ~ +150°C
封装/外壳：SOT-563
RFU02VSM6STR采用罗姆先进的Trench MOS工艺制造，具备出色的电气性能和可靠性。其低导通电阻特性显著降低了导通损耗，提高了系统的整体能效，特别适合用于电池供电设备中的电源开关和负载管理。在VGS=4.5V时，RDS(on)典型值仅为0.22Ω，即使在较低的驱动电压下（如2.5V或1.8V），仍能保持较低的导通阻抗，确保了在宽电压范围内的稳定工作能力。
该器件的阈值电压范围为0.6V至1.0V，属于超低阈值类型，能够在微控制器直接驱动的情况下实现快速开启，无需额外的电平转换电路，从而简化了系统设计并节省了外围元件成本。同时，其较小的输入电容（Ciss=290pF）和栅极电荷（Qg=3.8nC）使得开关速度更快，开关损耗更低，适用于高频PWM调光、DC-DC转换器及同步整流等应用场景。
SOT-563超小型封装不仅节省PCB空间，还具备良好的热传导性能，通过优化的内部结构设计有效提升了散热效率。器件支持?55°C到+150°C的工作结温范围，适应各种严苛环境条件下的长期运行。此外，产品经过严格的质量管控，具备高抗浪涌能力和优秀的ESD防护性能，增强了系统鲁棒性。所有材料均符合绿色环保标准，不含卤素，适用于对环保要求较高的工业和消费类电子产品。
RFU02VSM6STR广泛应用于需要高效、紧凑电源解决方案的便携式电子设备中。典型用途包括智能手机和平板电脑中的背光驱动与摄像头电源开关；可穿戴设备如智能手表、健康监测仪中的电池管理模块；物联网节点设备中的低功耗传感器电源控制；以及小型无线模块、蓝牙耳机、TWS耳机内的DC-DC buck或boost转换器中的同步整流开关。此外，该器件也常用于微型电机驱动、LED驱动电路、USB充电端口的过流保护开关以及各类消费类电子产品中的负载开关设计。得益于其优异的开关特性和小型化封装，RFU02VSM6STR在高集成度PCB布局中展现出强大的适应性，是现代高密度电子系统中理想的功率开关选择。
DMG2302UK-7
FDC6330L
