类型：射频晶体管
　　晶体管类型：NPN
　　最大频率：300 MHz
　　集电极-发射极电压（Vce）：30 V
　　最大集电极电流（Ic）：1 A
　　功率耗散：30 W
　　增益带宽积：300 MHz
　　噪声系数：5 dB
　　输入/输出阻抗：50 Ω匹配
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C

RFT3300是一款专为射频应用设计的高性能晶体管。其NPN结构和硅双极型工艺使其在高频下仍能保持良好的线性度和增益。该器件支持高达300 MHz的工作频率，适合用于中功率射频信号的放大。RFT3300具有良好的噪声性能，噪声系数为5 dB，使其在需要低噪声放大的应用中表现出色。
　　RFT3300的最大集电极电流为1 A，集电极-发射极电压为30 V，能够提供较高的输出功率。其功率耗散能力为30 W，能够在较高的工作条件下保持稳定运行。该器件的输入和输出阻抗经过优化，通常为50 Ω匹配，减少了外部匹配电路的复杂性，提高了设计的灵活性。
　　此外，RFT3300具有较宽的工作温度范围，从-55°C到+150°C，能够在各种环境条件下可靠运行。这种稳定性使其适用于户外设备、工业级通信系统以及高要求的测试测量仪器。RFT3300的封装设计也考虑到了散热需求，通常采用TO-220封装，能够有效散热，提高长期使用的可靠性。

RFT3300广泛应用于射频信号放大器、无线通信系统、广播发射设备、测试和测量仪器等领域。它特别适合用于中功率射频放大器，如VHF和UHF频段的通信设备。此外，RFT3300还可用于调频广播发射器、射频功率模块以及各种需要低噪声和高线性度的射频电路设计。在工业自动化和通信基础设施中，RFT3300也可作为关键的射频放大元件，提供稳定的信号传输性能。

2N5179, BFQ59, BFG21