制造商：Renesas Technology
　　类型：射频功率晶体管
　　晶体管结构：NPN
　　最大工作频率：1000 MHz
　　最大集电极电流：15 A
　　最大集电极-发射极电压：30 V
　　最大功耗：200 W
　　增益：20 dB（典型值）
　　输出功率：150 W（典型值）
　　封装类型：气密封陶瓷封装
　　工作温度范围：-65°C 至 +150°C

RFT3100-2A2QT 是一款专为高功率射频应用设计的晶体管，具有出色的电气性能和稳定性。该器件采用先进的双极型硅工艺制造，能够在高频段提供高功率输出和高增益。其气密封陶瓷封装结构确保了在高温和恶劣环境下的可靠性，适用于高要求的工业和通信设备。
　　该晶体管的典型工作频率为1000 MHz，最大集电极-发射极电压为30V，最大集电极电流可达15A，最大功耗为200W，能够在高功率条件下稳定运行。其典型增益为20 dB，输出功率可达150W，具有良好的线性度和低噪声性能，适合用于高保真度的射频放大系统。
　　RFT3100-2A2QT 还具备优异的热稳定性，能够在-65°C至+150°C的宽温度范围内工作，适用于各种严苛环境下的应用。此外，该器件具有较低的互调失真（IMD），有助于提高系统的信号质量和传输效率，适用于高要求的无线通信、广播系统、雷达和测试设备等领域。

RFT3100-2A2QT 主要应用于射频功率放大器、无线通信系统（如蜂窝基站、微波通信）、广播发射设备、雷达系统、测试与测量仪器、工业加热设备以及高功率射频电源等领域。由于其高功率输出能力和稳定性，该晶体管也常用于军事和航空航天等对可靠性要求极高的应用场景。

RFT3100-2A2QT 的替代型号包括 RFT3100-2A2T 和 RFT3100-2A2Q。