RFSW8007QTR7是一款由Qorvo公司制造的射频开关集成电路(RF Switch IC),采用先进的GaAs工艺制造,适用于高频应用。该器件是一款单刀双掷(SPDT)开关,工作频率范围覆盖从直流到40 GHz,适用于各种高性能射频和微波系统。RFSW8007QTR7采用紧凑的表面贴装封装,适用于需要高可靠性、低插入损耗和高隔离度的应用场景。
类型:射频开关
拓扑结构:单刀双掷(SPDT)
频率范围:DC ~ 40 GHz
插入损耗:典型值0.6 dB @ 20 GHz
隔离度:典型值30 dB @ 20 GHz
回波损耗:典型值15 dB @ 20 GHz
功率处理:最大输入功率28 dBm
控制电压:正电压控制(+3.3V ~ +5V)
封装类型:QFN(6引脚)
工作温度范围:-40°C ~ +85°C
RFSW8007QTR7具有多项高性能特性,使其适用于高端射频系统。其频率范围覆盖从直流到40 GHz,适合5G通信、测试设备和微波回传系统等高频应用。该开关的插入损耗较低,典型值为0.6 dB,在20 GHz时仍能保持良好的信号完整性。隔离度达到30 dB,有助于减少不同信号路径之间的干扰。此外,RFSW8007QTR7具有15 dB的回波损耗,确保在宽频率范围内具有良好的阻抗匹配。
该器件支持高达28 dBm的最大输入功率,适合中高功率应用场景。控制电压范围为+3.3V至+5V,兼容多种逻辑电平,便于集成到现有系统中。其QFN封装结构不仅节省空间,还提供了良好的热管理和高频性能。工作温度范围为-40°C至+85°C,适用于工业级环境条件。
RFSW8007QTR7广泛应用于高频通信系统、5G基础设施、测试与测量设备、微波回传系统以及雷达和航空航天系统。它适用于需要快速切换和高性能的射频路径管理场合,如多路复用器、信号源切换、天线切换和收发开关等应用场景。
HMC649ALP3E, PE4259, RF1251, SKY13417-396LF