CGA3E2NP01H330J080AA 是一款高性能的氮化镓 (GaN) 功率晶体管,适用于高频和高效率的电源转换应用。该器件采用先进的 GaN 技术,具有低导通电阻和快速开关特性,能够显著提高系统的功率密度和效率。
该型号通常用于开关模式电源、DC-DC 转换器、逆变器以及其他需要高效能电力传输的应用场景。与传统的硅基 MOSFET 相比,这款 GaN 晶体管在高频工作条件下表现出更低的损耗和更高的效率。
类型:增强型场效应晶体管
材料:氮化镓 (GaN)
最大漏源电压:650 V
最大连续漏极电流:30 A
导通电阻:33 mΩ
栅极电荷:70 nC
开关频率:支持高达 MHz 级别
封装形式:TO-247-4L
1. 低导通电阻(Rds(on)),仅为 33 mΩ,从而降低了传导损耗。
2. 高速开关性能,栅极电荷小(70 nC),可实现更高频率操作。
3. 支持宽范围的工作电压(最高 650V),适合多种应用场景。
4. 提供了卓越的热性能,能够在高功率密度下保持稳定运行。
5. 内置 ESD 保护功能,增强了产品的可靠性。
6. 具备出色的效率表现,在高频开关条件下仍然保持低损耗。
7. 封装形式为 TO-247-4L,易于集成到现有的电路设计中。
1. 开关模式电源 (SMPS) 中的主开关元件。
2. 高效 DC-DC 转换器的核心组件。
3. 太阳能逆变器中的功率级元件。
4. 电动车辆 (EV) 和混合动力汽车 (HEV) 的车载充电器。
5. 工业电机驱动和伺服控制器。
6. 不间断电源 (UPS) 系统。
7. 快速充电适配器和其他消费类电子设备。
CGA3E2NP01H330J080AB, CGA3E2NP01H330J080AC