类型：射频场效应晶体管（RF FET）
　　技术：硅 LDMOS
　　频率范围：适用于高频应用，通常在 800 MHz 至 3 GHz 范围内
　　最大漏极电流：可达 10A
　　最大功率耗散：125W
　　Vds（漏源电压）：30V
　　增益：20 dB 典型值
　　输出功率：3300W 脉冲
　　封装类型：TO-247AD
　　引脚数：4 引脚
　　工作温度范围：-65°C 至 +150°C

RFR3300D4JTH1803D 是一款高性能射频功率晶体管，专为满足现代无线通信系统中对高效率和高线性度的需求而设计。该器件采用先进的LDMOS工艺，具有良好的热稳定性和较高的击穿电压能力，确保在高功率工作条件下的可靠性。
　　其主要特性包括高输出功率、高增益以及低互调失真（IMD），这些特性使其非常适合用于基站功率放大器和其他高要求的射频应用。此外，该器件的封装设计有助于有效的散热，确保在高功耗应用中保持稳定的性能。
　　RFR3300D4JTH1803D 还具有良好的抗失真能力，使其在多载波通信系统中表现出色。该晶体管的输入和输出阻抗设计优化，使其能够与常见的50Ω系统轻松匹配，并减少外围元件的需求，从而降低设计复杂度。
　　此器件的热阻较低，有助于减少温度对性能的影响，同时其高可靠性使其能够在恶劣的工作环境中长时间运行而不会出现性能下降或故障。

RFR3300D4JTH1803D 广泛应用于各种射频功率放大器设计中，特别是在无线通信基础设施中，如4G/5G基站、DVB-T发射机、广播发射机以及其他高功率射频系统。此外，它也适用于测试设备、工业加热系统以及雷达和航空电子设备中的射频放大环节。

RFR3300D4JTH1803D 的替代型号包括 RFP3300 和 MRFE6VP61K25H。