时间：2025/7/18 19:24:32
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IRFWI520A是一款由Infineon Technologies生产的N沟道增强型功率MOSFET，主要用于高功率和高效率的电源应用。这款MOSFET采用先进的沟槽技术，提供了较低的导通电阻和较高的电流处理能力，适用于如DC-DC转换器、电机控制和功率开关等场景。
类型: N沟道
漏源电压（Vds）: 55V
漏极电流（Id）: 56A
导通电阻（Rds(on)）: 0.016Ω
栅极电荷（Qg）: 78nC
功率耗散（Pd）: 200W
工作温度范围: -55°C至175°C
IRFWI520A具有低导通电阻，能够显著降低功率损耗，提高系统效率。其高电流处理能力使其在高功率应用中表现优异，同时具备良好的热稳定性和耐久性。
此外，该器件的封装设计优化了热管理和PCB布局，增强了散热性能。栅极驱动要求较低，简化了驱动电路的设计，同时保证了快速的开关性能。
该MOSFET还具有较高的短路耐受能力，能够在极端工作条件下保持稳定，提高了系统的可靠性。
IRFWI520A广泛应用于各类高功率电子设备中，如工业电机控制、电池供电系统、DC-DC转换器、不间断电源（UPS）、电源管理模块以及各种功率开关电路。此外，它也非常适合用于高电流负载的场合，如电动工具、电动车和大功率LED照明系统。
IRF1404, IRF3708, SiR432DP-T1-GE3
