NB670GQZ是一款由ON Semiconductor(安森美半导体)生产的双极型晶体管(BJT),属于NPN型晶体管。该晶体管主要用于功率放大和开关应用,广泛应用于工业控制、电源管理、电机驱动等电子电路中。NB670GQZ采用了先进的制造工艺,具有较高的可靠性、稳定的性能和较强的电流承载能力。其封装形式为SOT-223,这种封装不仅体积小巧,还具备良好的散热性能,适合在空间受限的电路板上使用。
类型:NPN双极型晶体管
最大集电极-发射极电压(VCEO):80V
最大集电极电流(IC):1.5A
最大功耗(PD):1.5W
增益(hFE):在2mA时为110至800(根据不同的等级)
频率响应:25MHz
封装类型:SOT-223
工作温度范围:-55°C至+150°C
集电极-基极电压(VCBO):100V
发射极-基极电压(VEBO):5V
NB670GQZ具有多个显著的电气和物理特性,使其在多种电子应用中表现出色。首先,该晶体管的最大集电极-发射极电压为80V,能够承受较高的电压应力,适用于中高压开关和放大电路。其次,其最大集电极电流为1.5A,支持较大的负载驱动能力,适用于电机控制、继电器驱动等需要较高电流的场合。
此外,NB670GQZ的最大功耗为1.5W,配合SOT-223封装的良好散热设计,使其能够在较高温度环境下稳定工作。晶体管的增益(hFE)范围广泛,从110到800不等,具体取决于等级,这使得它能够灵活应用于不同的放大电路中。
在频率响应方面,NB670GQZ的过渡频率为25MHz,适用于中频放大器和高速开关应用。该晶体管的工作温度范围宽,从-55°C到+150°C,能够在恶劣的工业环境中可靠运行。同时,其集电极-基极电压为100V,发射极-基极电压为5V,具备较高的耐压能力,有助于提高电路的稳定性和安全性。
最后,SOT-223封装不仅节省空间,还方便安装在PCB板上,适用于表面贴装工艺,提高了制造效率和产品的一致性。
NB670GQZ广泛应用于多个电子领域。在工业自动化中,它常用于继电器驱动、电机控制和传感器信号放大。在电源管理方面,该晶体管可用于DC-DC转换器、线性稳压器和负载开关等电路。此外,NB670GQZ也适用于消费电子产品,如家用电器中的控制电路、LED驱动电路以及音频放大器等。
在通信设备中,NB670GQZ可用于信号放大和处理,特别是在中频段的应用中表现出色。由于其高可靠性和宽工作温度范围,该晶体管也适用于汽车电子系统,如车灯控制、电动座椅调节、车载音响等应用场景。
另外,NB670GQZ还可以用于嵌入式系统的I/O接口扩展,作为开关元件控制外部设备的启停。在工业仪表和测试设备中,它也常用于模拟信号的放大和处理。
2N3904、BC547、PN2222A、MPS2222、2SC1815