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RFPA2172SB 发布时间 时间:2025/8/16 9:09:31 查看 阅读:22

RFPA2172SB是一款由RF Micro Devices(RFMD)公司设计制造的射频功率放大器集成电路(RF Power Amplifier IC),主要用于无线通信系统中的射频信号放大。该器件针对2GHz以下的无线应用进行了优化,适用于如蜂窝通信、Wi-Fi、WiMAX、无线基础设施和工业控制系统等多种高频应用场合。RFPA2172SB采用先进的GaAs(砷化镓)异质结双极晶体管(HBT)工艺制造,具有高线性度、高效率和高输出功率的特点。其封装形式为表面贴装(SMD),适合于现代高频电路的高密度布局需求。

参数

工作频率范围:800 MHz - 2.7 GHz
  输出功率:典型值27 dBm(在2 GHz)
  增益:典型值30 dB
  电源电压:+5V 至 +7.5V 可调
  电流消耗:典型值150 mA(无输入信号)
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C
  封装类型:6引脚SOT-89
  输入/输出阻抗:50Ω
  隔离度:典型值30 dB
  三阶交调截距(IP3):典型值38 dBm

特性

RFPA2172SB的核心特性在于其卓越的射频性能与高度集成的设计。该功率放大器能够在800 MHz至2.7 GHz的宽频率范围内保持稳定的放大性能,适合多种无线通信标准。其典型的输出功率为27 dBm,在2 GHz频段下具有出色的线性度,IP3达到38 dBm,这使得它在多载波系统中表现出色,能够有效减少信号失真和互调干扰。
  该器件采用GaAs HBT工艺,不仅提升了高频响应能力,还具备良好的热稳定性和可靠性,能够在高温环境下稳定运行。此外,RFPA2172SB的电源电压范围较宽,支持+5V至+7.5V供电,适应不同系统设计的需求,提高了设计灵活性。
  其SOT-89封装形式体积小巧,便于安装和散热,同时具备良好的射频接地性能。器件内部集成了输入匹配网络,简化了外部电路设计,降低了系统复杂度和成本。该器件还具有良好的输入输出隔离度,典型值为30 dB,有助于防止信号反馈和干扰。
  在应用方面,RFPA2172SB被广泛用于蜂窝通信基站、Wi-Fi接入点、WiMAX设备、远程无线中继器、工业控制和测试仪器等高频系统中。其优异的性能和可靠性使其成为各种无线基础设施和高要求通信设备中的理想选择。

应用

RFPA2172SB主要应用于各种无线通信系统中,包括蜂窝网络基础设施、Wi-Fi路由器、WiMAX基站、无线中继器、远程射频单元(RRU)、工业控制系统和射频测试设备。由于其高频性能和良好的线性度,该器件特别适用于需要高稳定性和高效率的无线通信场景,如4G LTE基站、分布式天线系统(DAS)和宽带无线接入设备。

替代型号

RFPA2172SB的替代型号包括RFMD的RFPA2171和Avago的MGA-634P8。RFPA2171具有类似的频率范围和输出功率特性,但可能在封装或偏置配置上略有不同;MGA-634P8则是一款适用于类似频率范围的高性能射频放大器,具备高增益和低噪声系数,适合替代应用。在选择替代器件时,需根据具体的应用需求、频率范围、电源电压和封装形式进行匹配验证。

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